[发明专利]用于含硅膜的组合物及其使用方法

说明书

本文描述了用于形成含硅膜的前体和方法。在一个方面中，提供了如本文所述的式(I)的前体。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2019年2月1日提交的美国临时申请62/800,085的优先权，出于所有允许的目的，通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本文描述了用于制造电子器件的组合物和方法。更具体地，本文描述的是用于沉积低介电常数(4.0)和高抗氧灰化的含硅膜的化合物，包含其的组合物和方法，例如但不限于非晶硅、结晶硅、氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和碳氮氧化硅。

背景技术

本领域需要提供一种用于沉积高碳含量(例如，通过X射线光电子能谱(XPS)测量的碳含量为约10原子％或更高)掺杂的含硅膜的组合物及其使用方法，所述膜用于电子工业中的某些应用。

美国专利No.8,575,033描述了在衬底表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体并且可以采用等离子体增强原子层沉积工艺。

美国公开No.2013/022496教导了一种通过原子层沉积(ALD)在半导体衬底上形成具有Si-C键的介电膜的方法。该方法包括：(i)将前体吸附在衬底表面上；(ii)使吸附的前体与反应气体在表面上反应；和(iii)重复步骤(i)和(ii)以在衬底上形成至少具有Si-C键的介电膜。

PCT申请No.WO14134476A1描述了用于沉积包含SiCN和SIOCN的膜的方法。某些方法包括将衬底表面暴露于第一和第二前体，第一前体具有式(X_yH_3-ySi)_zCH_4-z、(X_yH_3-ySi)(CH₂)(SiX_pH_2-p)(CH₂)(SiX_yH_3-y)或(X_yH_3-ySi)(CH₂)_n(SiX_yH_3-y)，其中X是卤素，y的值在1和3之间，和z的值在1和3之间，p的值在0和2之间，n的值在2和5之间，并且第二前体包含还原胺。某些方法还包括将衬底表面暴露于氧源以提供包含碳掺杂氧化硅的膜。

Hirose,Y.，Mizuno,K.，Mizuno,N.，Okubo,S.，Okubo,S.，Yanagida,K.和Yanagita,K.(2014)“制造半导体器件的方法、衬底处理装置和记录介质(Method ofmanufacturing semiconductor device,substrate processing apparatus,andrecording medium)”，美国申请No.2014287596A，描述了一种制造半导体器件的方法，包括通过执行预定次数的循环在衬底上形成含有硅、氧和碳的薄膜，该循环包括：向衬底供应含有硅、碳和卤元素并且具有Si-C键的前体气体，和第一催化气体；以及向衬底供应氧化性气体和第二催化气体。

Hirose,Y.，Mizuno,N.，Yanagita,K.和Okubo,S.(2014)“制造半导体器件的方法、衬底处理装置和记录介质((Method of manufacturing semiconductor device,substrate processing apparatus,and recording medium)”，美国专利No.9,343,290B描述了一种制造半导体器件的方法，该方法包括通过执行预定次数的循环在衬底上形成氧化物膜。该循环包括向衬底供应前体气体；以及向衬底供应臭氧气体。在供应前体气体的动作中，在未向衬底供应催化气体的状态下向衬底供应前体气体，并且在供应臭氧气体的动作中，在向衬底供应基于胺的催化气体的状态下向衬底供应臭氧气体。