[发明专利]用于含硅膜的组合物及其使用方法在审
申请号: | 202080017710.9 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN113518834A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 雷新建;M·R·麦克唐纳;萧满超;李明;王美良 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/36;C23C16/455;C07F7/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 含硅膜 组合 及其 使用方法 | ||
1.一种包含由以下式I表示的硅氮烷前体的组合物:
其中R1选自直链或支链C1至C10烷基、直链或支链C3至C10烯基、直链或支链C3至C10炔基、C3至C10环烷基、C2至C6二烷基氨基、吸电子基团和C6至C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1至C10烷基、直链或支链C3至C6烯基、直链或支链C2至C6炔基、C3至C10环烷基、C2至C6二烷基氨基、C6至C10芳基、直链或支链C1至C6氟化烷基、吸电子基团、C4至C10芳基和选自Cl、Br和I的卤素;和X是选自Cl、Br和I的卤素,且
其中所述组合物不含有机胺、卤素离子、金属离子。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述硅氮烷前体选自1,1,1,3,3,3-六氯-2-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六氯-2-异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六溴-2-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-甲基-3-甲基-二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-乙基-3-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-正丙基-3-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3-五氯-2-异丙基-3-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-仲丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-溴-2-叔丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-六碘-2-甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-仲丁基-二硅氮烷、1,1,1,3,3,3-碘-2-叔丁基-二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-四氯-2-乙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-正丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-异丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-正丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-异丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-仲丁基二硅氮烷和1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-乙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-正丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-异丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-正丁基二硅氮烷、1,3,3-四氯-2-异丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-乙基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-正丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-异丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-正丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-异丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四溴-2-仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-甲基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-乙基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-正丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-异丙基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-正丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-异丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四碘-2-叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-环戊基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-2-环己基二硅氮烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-环戊基二硅氮烷和1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基-2-环己基二硅氮烷。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的