[发明专利]烧结体

说明书

本发明提供一种烧结体，其是具有至少含有稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体，在L*a*b*色度表示中，L*值为70以上。晶粒的平均粒径优选为10μm以下。还优选相对密度为95％以上。还优选三点弯曲强度为100MPa以上。还优选不含氧、或者在包含氧的情况下氧含量为13质量％以下。还优选上述化合物为稀土类元素的氟化物或氟氧化物。

技术领域

本发明涉及具有包含稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体。

背景技术

在半导体制造中，干式蚀刻装置等在含卤素系气体的环境下使用的构件因与卤素系气体接触而劣化，劣化物飞散而作为颗粒附着在半导体上，使半导体的成品率下降。作为相对于卤素系气体具有一定的耐蚀性的材料，将含有稀土类元素及氟的化合物作为对半导体装置的构件的表面进行喷镀的材料来使用(专利文献1)；或者作为构成半导体装置的烧结体来使用(专利文献2)。在专利文献2中，记载了含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体比含有稀土类元素及氟的化合物的喷镀膜致密，适宜作为半导体制造装置的构成构件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：US2015/0096462A1

专利文献2：US2017/0305796A1

发明内容

但是，含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体关于相对于卤素系等离子体的耐蚀性，仍然存在改善的余地。

因此，本发明的课题在于提供一种烧结体，其是含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体，且其与以往相比相对于卤素系等离子体的耐蚀性优异。

本发明人对用于提高相对于卤素系等离子体的耐蚀性的含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体的构成进行了深入研究。其结果发现：就该化合物的烧结体而言，通过提高白色度，能够有效地提高相对于卤素系等离子体的耐蚀性。

本发明提供一种烧结体，其是至少具有含有稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体，在L*a*b*色度表示中，L*值为70以上。

附图说明

图1是实施例1中得到的烧结体的扫描型电子显微镜图像。

图2是比较例1中得到的烧结体的扫描型电子显微镜图像。

具体实施方式

以下，基于其优选的实施方式对本发明进行说明。

(1)本发明的烧结体的组成

本发明的烧结体的特征之一在于，其具有含有稀土类元素及氟的化合物(以下，也简称为“含有Ln及F的化合物”)的相。

作为稀土类元素(Ln)，可列举出钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)这16种元素。包含Ln及F的化合物包含这16种稀土类元素中的至少1种。从更进一步提高烧结体的耐热性、耐磨性及耐蚀性等的观点出发，在这些元素中，优选使用选自钇(Y)、铈(Ce)、钐(Sm)、钆(Gd)、镝(Dy)、铒(Er)及镱(Yb)中的至少1种元素，尤其优选使用钇(Y)。

作为含有Ln及F的化合物，优选可列举出稀土类元素的氟化物和/或稀土类元素的氟氧化物。从提高烧结体的相对于卤素系等离子体的耐蚀性的方面出发，含有Ln及F的化合物优选包含含有Ln、F及O的化合物，特别优选为稀土类元素的氟氧化物、或稀土类元素的氟氧化物及稀土类元素的氟化物。

稀土类元素的氟化物优选以LnF₃表示。