[发明专利]制造多层薄膜的工艺、制造太阳能电池的方法、和制造太阳能电池组件的方法在审
申请号: | 202080015675.7 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN113728445A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 保西祐弥;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;平冈佳子;山本和重 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 多层 薄膜 工艺 太阳能电池 方法 组件 | ||
本发明提供制造多层薄膜的工艺、以及制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法、制造太阳能电池组件的方法。所述制造多层薄膜的工艺包括:在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层;和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10‑8[g/L]至5.0×10‑5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。
技术领域
本发明所述的实施方式通常涉及制造多层薄膜的工艺、制造太阳能电池的方法和制造太阳能电池组件的方法。
背景技术
高效率太阳能电池的例子包括多结(串联)太阳能电池。串联太阳能电池可以利用对每个波段具有高光谱敏感性的电池,从而其效率高于单结太阳能电池。氧化亚铜化合物是一种廉价材料且具有宽带隙,有望作为串联太阳能电池的顶电池。同时,虽然之前的通过氧化铜箔生产的氧化亚铜太阳能电池的效率据记载约为8%,但效率低于理论最大效率。这可能是因为当铜箔氧化且通过蚀刻去除顶表面上的异质相如氧化铜时,不可能完全去除该相且蚀刻溶液中的组成元素仍然存在。因此,不能形成良好的p-n结。此外,在此过程中还需要先将厚度约0.1mm的箔氧化,然后将其抛光至20μm左右。因此,很难使面积变大。
作为制造氧化亚铜薄膜的工艺,已知溅射法。在一些报道中,这种工艺已被用于制造氧化亚铜薄膜。但是,其转换效率还有待进一步提高。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1Sang Woon Lee,Yun Seog Lee等,《Adv.Energy Mater.》,2014,4,1301916
发明内容
发明所要解决的课题
本发明所述的实施方式提供了制造高质量多层薄膜的工艺、制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法和制造太阳能电池组件的方法。
用于解决课题的手段
实施方式的制造多层薄膜的工艺包括:在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层;和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10-8[g/L]至5.0×10-5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。
附图说明
图1是实施方式中的多层薄膜的示意性剖视图。
图2是阐明实施方式的制造多层薄膜的工艺的流程图。
图3是实施方式中的多层薄膜的示意性剖视图。
图4是实施方式中的太阳能电池的示意性剖视图。
图5是实施方式中的多结太阳能电池的示意性剖视图。
图6是实施方式中的太阳能电池组件的示意图。
图7是实施方式中的太阳能电池组件的示意性剖视图。
图8是实施方式中的光电发电系统的示意图。
图9是实施方式中的车辆的示意图。
图10是实施例的表格。
图11是实施例、参考例和比较例的表。
图12是实施例、参考例和比较例的表。
具体实施方式
(第一实施方式)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的