[发明专利]制造多层薄膜的工艺、制造太阳能电池的方法、和制造太阳能电池组件的方法

权利要求书

1.一种制造多层薄膜的工艺，其包括：

在第一透明电极上形成包含Cu₂O作为主要成分的光电转换层；和

将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10^-8[g/L]至5.0×10^-5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。

2.根据权利要求1所述的制造多层薄膜的工艺，其中，在所述第一气氛下放置期间，所述第一气氛中的水蒸气浓度为5.0×10^-8[g/L]至5.0×10^-5[g/L]。

3.根据权利要求1或2所述的制造多层薄膜的工艺，其进一步包括下述工序：在放置到所述第一气氛下之前，将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在0℃至50℃的第二空气气氛下放置1h或更短的时间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造多层薄膜的工艺，其中，在所述第一气氛下放置期间，所述第一气氛的温度为0℃至100℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造多层薄膜的工艺，其中，在所述第一气氛下放置期间，所述第一气氛中的保持时间为72h至1600h。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造多层薄膜的工艺，其中，在所述第一气氛下放置期间，低氧气氛中的氧浓度为5.0×10^-8[g/L]至3.5×10^-5[g/L]，且

在所述第一气氛下放置期间，所述低氧气氛中的水蒸气浓度为5.0×10^-8[g/L]至4.0×10^-5[g/L]。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造多层薄膜的工艺，其中，在所述第一气氛下放置期间，当所述第一气氛中的保持时间被定义为t[h]，所述第一气氛中的所述氧浓度被定义为C_O[g/L]，且所述第一气氛中的水蒸气浓度被定义为C_W[g/L]时，

满足1.0×10^-7[h·g/L]≤t×C_O[h·g/L]≤1.6×10^-3[h·g/L]，且

满足1.0×10^-7[h·g/L]≤t×C_W[h·g/L]≤6.5×10^-2[h·g/L]。

8.一种制造太阳能电池的方法，其包括用权利要求1至7中任一项所述的制造多层薄膜的工艺来制造多层薄膜。

9.一种制造多结太阳能电池的方法，其包括用权利要求1至7中任一项所述的制造多层薄膜的工艺来制造多层薄膜。

10.一种制造太阳能电池组件的方法，其包括用权利要求1至7中任一项所述的制造多层薄膜的工艺来制造多层薄膜。