[发明专利]热敏电阻的制造方法有效
| 申请号: | 202080014946.7 | 申请日: | 2020-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN113454736B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
| 发明(设计)人: | 米泽岳洋;日向野怜子 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号: | H01C1/148 | 分类号: | H01C1/148;H01C7/04;H01C17/28 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热敏电阻 制造 方法 | ||
1.一种热敏电阻的制造方法,制造具备呈柱状的热敏电阻芯片、形成于所述热敏电阻芯片的表面的保护膜、及分别形成于所述热敏电阻芯片的两端部的电极部的热敏电阻,其特征在于,具有:
基底电极层形成工序,在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面涂布导电性浆料进行烧成而形成基底电极层;
芯片化工序,将形成有基底电极层的所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化,获得带基底电极层的热敏电阻芯片;
保护膜形成工序,在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜;
覆盖电极层形成工序,在形成于所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面的所述保护膜的表面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层;及
导通热处理工序,进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通,
所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部,
所述保护膜由硅氧化物构成,
在所述保护膜形成工序中,在含有硅醇盐、水、有机溶剂和碱的反应液中浸渍所述带基底电极层的热敏电阻芯片,通过所述硅醇盐的水解及缩聚反应,在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的表面析出硅氧化物,从而进行所述保护膜的成膜,
在所述基底电极层形成工序中,在所述热敏电阻晶片的表面形成导电性氧化物层,然后,涂布作为含有金属粉和玻璃粉的玻璃掺入金属浆料的导电性浆料并进行烧成。
2.根据权利要求1所述的热敏电阻的制造方法,其特征在于,
在所述覆盖电极层形成工序中,使用含有金属粉和玻璃粉的玻璃掺入金属浆料作为所述导电性浆料。
3.根据权利要求1或2所述的热敏电阻的制造方法,其特征在于,
在所述芯片化工序之后,具有对所述带基底电极层的热敏电阻芯片进行倒角的倒角加工工序,在该倒角加工工序之后实施所述保护膜形成工序。
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