[发明专利]用于制造多个传感器装置的方法和传感器装置在审
| 申请号: | 202080011756.X | 申请日: | 2020-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN113365939A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | S·平特;D·豪格;T·亨;M·克瑙斯;R·巴拉基;S·舒勒-瓦特金斯 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 传感器 装置 方法 | ||
本发明涉及一种用于制造多个传感器装置(1)的方法,所述方法包括:提供(S1)在多个用于传感器芯片(3)的预确定的区域(BS)中具有接触部位(K1;K2;...;Kn)的衬底(2);将所述传感器芯片(3)布置在所述衬底(2)上的预确定的区域(BS)中以及使所述传感器芯片(3)与所述接触部位(K1;K2;...;Kn)电触点接通;将具有粘接材料(4)的框架结构(6)施加(S3)在所述衬底(2)上并且在所述传感器芯片(3)之间,其中,所述框架结构(6)横向地环绕所述传感器芯片(3),其中,所述框架结构(6)在所述施加之后竖直地延伸超出所述传感器芯片(3)并且形成分别用于所述传感器芯片(6)中的至少一个传感器芯片的空腔(K),并且膜片(7)在用于所述传感器芯片(3)的空腔(K)中的至少一个空腔的上方以遮盖方式横跨所述空腔;并且围绕相应的空腔(K)将所述衬底(2)或者所述框架结构(6)和所述衬底(2)分离(S4)成多个传感器装置(1)。
技术领域
本发明涉及一种用于制造多个传感器装置的方法和一种传感器装置。
背景技术
在设置用于测量环境参数例如压力、湿度或者用于确定气体的传感器中,通常需要与其环境直接接触。然而,在这种情况下,例如当传感器在电子设备例如移动电话或者无人机中使用时,存在对于保护传感器免受环境因素例如灰尘或者水的影响的要求。保护和仍可能的环境入口能够通过借助于膜片来闭锁传感器的介质入口来实现,所述膜片对于灰尘和水而言是不可穿过的,然而对于空气和水蒸气而言是可渗透的。对此的示例是由泡沫聚四氟乙烯(ePTFE)制成的多微孔的膜片。这些膜片是市场上能够买到的,例如W.L.GoreAssociates公司的Gore-Tex。
通常,膜片预制成传感器所需要的尺寸并且对于每个传感器而言分别单个地依次地要么施加在传感器上、要么已经事先施加在盖上,其中,在常见的方法中,对于每个单个的传感器,始终能够将盖本身连续地施加在传感器的衬底(条)上。
在US 2014/346623 A1中提到一种传感器,该传感器具有在空腔的上方的膜片,在该传感器中,膜片成型为柔性的膜片。配属的方法适用于制造多个传感器。
发明内容
本发明提供一种根据权利要求1所述的和根据权利要求7所述的用于制造多个传感器装置的方法以及一种根据权利要求14所述的传感器装置。
优选的扩展方案是从属权利要求的主题。
本发明的优点
本发明所基于的理念在于,给出一种用于制造多个传感器装置的方法以及一种传感器装置,其中,传感器芯片能够借助于框架结构布置在空腔中并且能够被膜片或者遮盖装置覆盖,其中,传感器芯片能够绝大部分被屏蔽以免受到环境影响,然而小的影响、例如压力波动仍然能够通过孔或者膜片侵入到空腔中。另外,该方法的突出之处在于多个传感器装置的同时且并行的制造。在此,框架结构能够以预制的方式施加或者能够制造在传感器装置的衬底上。
根据本发明,在用于制造多个传感器装置的方法中,提供在多个用于传感器芯片的预确定的区域中具有接触部位的衬底;将传感器芯片布置在衬底上的预确定的区域中以及使传感器芯片与接触部位电触点接通;将具有粘接材料的框架结构施加在衬底上并且施加在传感器芯片之间,其中,框架结构横向地环绕传感器芯片,其中,框架结构在施加之后竖直地延伸超出传感器芯片并且形成分别用于传感器芯片中的至少一个传感器芯片的空腔,并且膜片在用于传感器芯片的空腔中的至少一个空腔的上方以遮盖方式横跨所述空腔;并且围绕相应的空腔将衬底或者框架结构和衬底分离成多个传感器装置。
粘接材料能够包括导电的粘接材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080011756.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





