[发明专利]光发射器

说明书

本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。

技术领域

本发明涉及由半导体激光器搭载模块构成的光发射器。

背景技术

以往，用于光通信等的光发射器例如由如图1所示那样的EA－DFB激光器搭载模块构成。图1所示的EA－DFB激光器搭载模块在子载体1上在子载体1的宽度方向(与光射出方向正交的短边的方向)上，从图的右侧配置有RF布线板2、具备DFB激光器4以及EA调制器5的EA－DFB激光器芯片3、终端电阻体6、电容器7。此外，RF布线板2上的RF布线的上端与EA－DFB激光器芯片3上的EA调制器5的电极通过导线11电连接，EA调制器5的电极与终端电阻体6通过导线10电连接。

在图1的现有的光发射器中，从RF布线板2的RF布线的下端输入的调制电信号从RF布线板2的RF布线的上端通过导线11被供给至EA调制器5的电极，进而经由EA调制器5的电极通过导线10与终端电阻体6的一端的电极连接。终端电阻体6的另一端经由电极与用于直流切断(DC截止)的电容器7的一端连接，通过电容器7的另一端与成为接地电极的接地焊盘8连接来接地。如图1所示，在现有的光发射器中子载体1的尺寸需要0.95mm左右的宽度。

此外，作为返回光对策，EA－DFB激光器芯片3的光波导成为弯曲波导，输出光波导的部分成为相对于EA－DFB激光器芯片3的出射端面以非90度的角度射出光的构造。EA－DFB激光器芯片3自身为了使射出光的方向与子载体1的长尺寸方向一致，而倾斜地配置在子载体1的长尺寸方向的边与出射光成为平行的方向上。

此外，激光器芯片例示了具备DFB激光器4和EA调制器5的EA－DFB激光器芯片3，但并不限定于此，也可以是带调制功能的任意形式的调制激光器芯片。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1:C.Kazmierski,A.Konczykowska,F.Jorge,F.Blache,M.Riet,C.Jany,A.Scavennec,100Gb/s Operation of an AlGaInAs Semi-Insulating BuriedHeterojunction EML,Proc OFC2009 OThT7

发明内容

发明所要解决的问题

在图1所示的现有的光发射器中，连结EA调制器5与终端电阻体6之间的导线10的部分具有与导线10的长度对应的寄生电感(parastic inductance)，因此有调整光发射器的频率响应特性的峰值量的效果。在现有的配置中，成为0.2～0.3mm左右的导线长度，但在该情况下，起因于导线长度的制作误差，光发射器的频率响应特性中的峰值发生变动，由此在频率响应特性中增益降低3dB的3dB频带频率产生偏差成为问题。

此外，在为了缓和偏差而加长导线长度，在远离EA－DFB激光器芯片3的位置配置终端电阻体6的情况下，也存在子载体1的尺寸大型化的问题。

此外，在图1的现有配置中，由于全部在子载体的宽度方向上横向排列地搭载各部件，因此子载体的宽度大型化这一点也是问题。

本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。

用于解决问题的方案