[发明专利]具有多通道的高带宽存储器

说明书

本文公开一种设备，其包含：控制芯片；多个存储器芯片，其堆叠在所述控制芯片上，所述多个存储器芯片包含第一及第二存储器芯片；及多个通路导体，其连接在所述多个存储器芯片与所述控制芯片之间。所述第一及第二存储器芯片中的每一者被划分为包含第一通道的多个通道。所述多个通路导体包含电连接在所述第一存储器芯片中的所述第一通道与轮胎控制水滴之间的第一通路导体，及电连接在所述第二存储器芯片中的所述第一通道与所述控制芯片之间的第二通路导体。所述第一及第二存储器芯片大体上同时将从所述第一通道读取的读取数据分别输出到所述第一及第二通路导体。

背景技术

一种称为HBM(高带宽存储器)的存储器装置具有一种结构，在所述结构中堆叠各自具有多个通道的存储器芯片。所述通道可彼此异步地且非排他性地操作。由于相异数据路径分别指派到通道，HBM可高速地输入或输出大量数据。

当从控制器请求对一般HBM中的某个通道的存取时，选择包含在堆叠存储器芯片中的任一者中的存储器单元阵列。因此，当存取集中在同一通道中时，电流消耗集中在同一存储器芯片的同一区中，这可能导致电力电势的改变。

发明内容

本文公开用于具有多个通道的高带宽存储器的实例设备。在本公开的一个方面中，一种设备包含：控制芯片；多个存储器芯片，其堆叠在所述控制芯片上，所述多个存储器芯片包含第一及第二存储器芯片；以及多个通路导体，其连接在所述多个存储器芯片与所述控制芯片之间。所述第一及第二存储器芯片中的每一者被划分为包含第一通道的多个通道。所述多个通路导体包含电连接在所述第一存储器芯片中的所述第一通道与所述控制芯片之间的第一通路导体，以及电连接在所述第二存储器芯片中的所述第一通道与所述控制芯片之间的第二通路导体。所述第一及第二存储器芯片大体上同时将从所述第一通道读取的读取数据分别输出到所述第一及第二通路导体。

额外地或替代地，所述第一及第二存储器芯片分别从所述第一及第二通路导体同时接收待写入所述第一通道的写入数据。

额外地或替代地，所述第一存储器芯片中的所述第一通道位于与所述第二存储器芯片中的所述第一通道相同的平面位置。

额外地或替代地，所述第一及第二存储器芯片中的每一者中的所述第一通道具有包含第一存储体的多个存储体，且所述第一存储器芯片中的所述第一存储体位于与所述第二存储器芯片中的所述第一存储体不同的平面位置。

额外地或替代地，所述第一及第二存储器芯片中的每一者具有分别连接到所述第一及第二通路导体的第一及第二读取FIFO电路。

额外地或替代地，所述第一存储器芯片具有共同指派到所述第一及第二通路导体的第一读取FIFO电路，且所述第二存储器芯片具有共同指派到所述第一及第二通路导体的第二读取FIFO电路。

额外地或替代地，所述第一读取FIFO电路可操作地连接到所述第一通路导体而没有可操作地连接到所述第二通路导体，且其中所述第二读取FIFO电路可操作地连接到所述第二通路导体而没有可操作地连接到所述第一通路导体。

额外地或替代地，所述第一及第二通路导体彼此邻近布置。

额外地或替代地，所述第一及第二存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第一通道及第二到第四通道的四个通道。

额外地或替代地，所述多个存储器芯片进一步包含第三及第四存储器芯片，且所述第三及第四存储器芯片中的每一者被划分为包含第五到第八通道的四个通道。

额外地或替代地，所述多个存储器芯片进一步包含第五到第八存储器芯片，所述第五及第六存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第一到第四通道的四个通道，且所述第七及第八存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第五到第八通道的四个通道。

额外地或替代地，所述第一通路导体共同连接到所述第一及第五存储器芯片中的所述第一通道，且所述第二通路导体共同连接到所述第二及第六存储器芯片中的所述第一通道。