[发明专利]具有多通道的高带宽存储器在审
申请号: | 202080008592.5 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN113302696A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 成井诚司 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/06 | 分类号: | G11C5/06;G11C5/02;G11C5/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 通道 带宽 存储器 | ||
1.一种设备,其包括:
控制芯片;
多个存储器芯片,其堆叠在所述控制芯片上,所述多个存储器芯片包含第一及第二存储器芯片;及
多个通路导体,其连接在所述多个存储器芯片与所述控制芯片之间,
其中所述第一及第二存储器芯片中的每一者被划分为包含第一通道的多个通道,
其中所述多个通路导体包含电连接在所述第一存储器芯片中的所述第一通道与所述控制芯片之间的第一通路导体,及电连接在所述第二存储器芯片中的所述第一通道与所述控制芯片之间的第二通路导体,且
其中所述第一及第二存储器芯片大体上同时将从所述第一通道读取的读取数据分别输出到所述第一及第二通路导体。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一及第二存储器芯片分别从所述第一及第二通路导体同时接收待写入所述第一通道的写入数据。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一存储器芯片中的所述第一通道位于与所述第二存储器芯片中的所述第一通道相同的平面位置。
4.根据权利要求3所述的设备,
其中所述第一及第二存储器芯片中的每一者中的所述第一通道具有包含第一存储体的多个存储体,且
其中所述第一存储器芯片中的所述第一存储体位于与所述第二存储器芯片中的所述第一存储体不同的平面位置。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一及第二存储器芯片中的每一者具有分别连接到所述第一及第二通路导体的第一及第二读取FIFO电路。
6.根据权利要求1所述的设备,
其中所述第一存储器芯片具有共同指派到所述第一及第二通路导体的第一读取FIFO电路,且
其中所述第二存储器芯片具有共同指派到所述第一及第二通路导体的第二读取FIFO电路。
7.根据权利要求6所述的设备,
其中所述第一读取FIFO电路可操作地连接到所述第一通路导体而没有可操作地连接到所述第二通路导体,且
其中所述第二读取FIFO电路可操作地连接到所述第二通路导体而没有可操作地连接到所述第一通路导体。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第一及第二通路导体彼此邻近布置。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一及第二存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第一通道及第二到第四通道的四个通道。
10.根据权利要求9所述的设备,
其中所述多个存储器芯片进一步包含第三及第四存储器芯片,且
其中所述第三及第四存储器芯片中的每一者被划分为包含第五到第八通道的四个通道。
11.根据权利要求10所述的设备,
其中所述多个存储器芯片进一步包含第五到第八存储器芯片,
其中所述第五及第六存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第一到第四通道的四个通道,且
其中所述第七及第八存储器芯片中的每一者被划分为包含所述第五到第八通道的四个通道。
12.根据权利要求11所述的设备,
其中所述第一通路导体共同连接到所述第一及第五存储器芯片中的所述第一通道,且
其中所述第二通路导体共同连接到所述第二及第六存储器芯片中的所述第一通道。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述第一及第二存储器芯片中的所述第一通道以及所述第五及第六存储器芯片中的所述第一通道中的一者被排他性地激活。
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