[发明专利]太阳能电池制备方法

说明书

本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。

技术领域

本公开涉及太阳能电池制造方法，特别是涉及能够通过在太阳能电池制造过程期间对半导体基板的前表面进行纹理化时隔离第一导电区和第二导电区来简化太阳能电池的制造过程的太阳能电池制造方法。

背景技术

太阳能电池包括n型导电区和p型导电区，并且可以随着适合于每种导电类型的载流子向n型导电区和p型导电区移动而产生电能。

因此，当n型导电区和p型导电区短路时，太阳能电池的发电效率会显著降低。因此，需要将n型导电区和p型导电区彼此隔离。

作为形成隔离的方法，已知使用反应离子蚀刻(RIE)去除用于太阳能电池的半导体基板的侧表面的方法，反应离子蚀刻(RIE)使用六氟化硫(SF₆)气体、氯(Cl₂)气或氧(O₂)气。

但是，在使用RIE形成隔离的情况下，六氟化硫(SF₆)气体、氯(Cl₂)气、氧(O₂)气等留在半导体基板的表面上。在半导体基板转移过程中留在半导体基板表面上的六氟化硫(SF₆)、氯(Cl₂)、氧(O₂)气等污染半导体装备的外壁，导致半导体装备操作错误。为了防止以上问题，应该在半导体装置中安装单独的附加辅助装置，由此增加太阳能电池的制造成本。

另外，在使用RIE形成隔离的情况下，在多个半导体基板布置在托盘中的状态下在每个半导体基板上形成隔离，并且在这里，在布置在托盘中的多个半导体基板当中的布置在托盘的外侧部分上的半导体基板上并没有形成如同期望那样多的隔离，由此太阳能电池的缺陷率增加并且成本增加。

发明内容

技术问题

本公开提供了一种制造太阳能电池的方法，其能够使对太阳能电池制造装备的影响最小化并且更稳定且更自然地实现隔离结构。

技术方案

根据本公开第一实施方式的形成太阳能电池的隔离结构的太阳能电池制造方法包括：多晶硅层形成操作，其在包括基区的由单晶硅材料形成的半导体基板的背表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化操作，其去除形成于半导体基板的前表面上的多晶硅层并且对半导体基板的前表面进行纹理化；第二导电区形成操作，其在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂以形成第二导电区；钝化层形成操作，其在形成于半导体基板的背表面上的多晶硅层上形成第一钝化层，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化层；以及电极形成操作，其形成穿过第一钝化层连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区形成穿过第二钝化层的第二电极。

第二导电区形成操作可以包括：掺杂剂层形成操作，其在半导体基板的前表面上形成具有第二掺杂剂的掺杂剂层；以及热处理操作，其对半导体基板进行热处理以将掺杂剂层的第二掺杂剂扩散至半导体基板的前表面。

可以选择性地在半导体基板的前表面上执行前表面纹理化操作。

该方法还可以包括在形成多晶硅层之前，对半导体基板执行锯损伤蚀刻(SDE)。

该方法还可以包括在形成多晶硅层之前，在半导体基板的整个表面上形成控制钝化层。