[发明专利]太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

多晶硅层形成操作，其在包括基区的由单晶硅材料形成的半导体基板的背表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；

前表面纹理化操作，其对所述半导体基板的前表面进行纹理化，并且同时去除形成于所述半导体基板的所述前表面上的所述多晶硅层；

第二导电区形成操作，其在所述半导体基板的所述前表面上扩散第二掺杂剂以形成第二导电区；

钝化层形成操作，其在形成于所述半导体基板的所述背表面上的所述多晶硅层上形成第一钝化层，并且在所述半导体基板的所述前表面上的所述第二导电区上形成第二钝化层；以及

电极形成操作，其形成穿过所述第一钝化层连接至所述多晶硅层的第一电极并且在所述第二导电区形成穿过所述第二钝化层的第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二导电区形成操作包括：

掺杂剂层形成操作，其在所述半导体基板的所述前表面上形成具有第二掺杂剂的掺杂剂层；以及

热处理操作，其对所述半导体基板进行热处理以将所述掺杂剂层的所述第二掺杂剂扩散至所述半导体基板的所述前表面。

3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述多晶硅层之前，在所述半导体基板的整个表面上形成控制钝化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述前表面纹理化操作中同时去除形成于所述半导体基板的所述前表面上的所述控制钝化层和所述多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述多晶硅层形成操作中，在所述半导体基板的所述背表面上、所述半导体基板的侧表面上以及所述半导体基板的所述前表面的边缘部分处形成所述多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

通过湿蚀刻执行所述前表面纹理化操作。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

在所述湿蚀刻中，在所述半导体基板的所述前表面与局部浸入纹理化蚀刻溶液的辊接触的状态下，当所述辊旋转时，存在于所述辊的表面上的所述纹理化蚀刻溶液蚀刻所述半导体基板的所述前表面，以在所述半导体基板的所述前表面上形成纹理化的凹陷部和突出部。

8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

掩模形成操作，其在所述多晶硅层形成操作和所述前表面纹理化操作之间，在所述半导体基板的所述背表面的所述多晶硅层上形成用于防止纹理化蚀刻的掩模层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述掩模形成操作包括：

在所述多晶硅层的整个表面上以及所述半导体基板的整个前表面上形成所述掩模层；以及

去除所述掩模层中除了形成于位于所述半导体基板的所述背表面上的所述多晶硅层上的部分之外的部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

在所述掩模层形成于所述半导体基板的所述背表面上的状态下执行所述前表面纹理化操作，并且

在其上形成有所述掩模层的所述半导体基板的所述前表面与局部浸入纹理化蚀刻溶液的辊接触的状态下，当所述辊旋转时，存在于所述辊上的所述纹理化蚀刻溶液蚀刻所述半导体基板的所述前表面，以在所述半导体基板的所述前表面上形成纹理化的凹陷部和突出部，或

将具有所述掩膜层的所述半导体基板浸入填充在槽中的所述纹理化蚀刻溶液中，以在所述半导体基板的所述前表面上形成纹理化的凹陷部和突出部。