[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	202080007255.4	申请日：	2020-02-07
公开（公告）号：	CN113302723A	公开（公告）日：	2021-08-24
发明（设计）人：	吉备和雄;藤田滋继;铃木健二;冈田充弘	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/321	分类号：	H01L21/321;H01L21/768;H01L21/3205
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	舒艳君;王海奇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。

技术领域

本公开的各个方面以及实施方式涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

例如，在下述专利文献1中公开了在DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)等半导体装置的制造工序中，在用于连接电容器和扩散层的接触插塞上形成接触垫。通过接触垫，能够吸收由形成构成电容器的槽时的加工引起的槽的位置偏移。

专利文献1：美国专利申请公开第2018/0040561号说明书

发明内容

本公开提供一种半导体装置的制造方法，能够高精度地加工信号延迟少的半导体装置，并且能够提高半导体装置的生产率。

本公开的一个方面是半导体装置的制造方法，包括平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成上述第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。

根据本公开的各个方面以及实施方式，能够生产信号延迟少的半导体装置，并且能够提高半导体装置的生产率。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。

图2A是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的俯视图。

图2B是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的A-A剖视图。

图3A是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的俯视图。

图3B是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的A-A剖视图。

图4A是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的俯视图。

图4B是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的A-A剖视图。

图5A是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的俯视图。

图5B是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的A-A剖视图。

图6A是表示用于制造本公开的一个实施方式中的半导体装置的晶片的一个例子的俯视图。