[发明专利]成膜装置

说明书

本发明涉及稳定的蒸镀速度的控制。本发明的成膜装置具有真空容器、成膜源、收容容器、膜厚传感器以及膜厚控制器。所述成膜源收容在所述真空容器。所述收容容器收容在所述真空容器，能够维持比所述真空容器内的压力高的压力。所述膜厚传感器包含具有共振频率的振荡器，在所述膜厚传感器中，在所述振荡器堆积由从所述成膜源释放的成膜材料。所述膜厚控制器收容在所述收容容器，基于所述成膜材料的堆积引起的所述振荡频率的变化，计算从所述成膜源释放的所述成膜材料的释放量。

技术领域

本发明涉及成膜装置。

背景技术

在真空中控制在基板形成膜的蒸镀速度的一种方法是使用膜厚监控仪。例如，在真空容器内将晶体振荡器型膜厚监控仪设置在基板附近，通过基于膜厚监控仪检测出的值进行反馈控制来获得希望的蒸镀速度(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-111974号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，在成膜装置发生了扰乱反馈控制的急剧的外界因素的情况下，有时反馈控制不能追随外界因素，无法得到稳定的蒸镀速度。在成膜装置中，优选构建不受这样的外界因素影响的结构。

鉴于如上的情况，本发明的目的在于提供一种能够更稳定地控制蒸镀速度的成膜装置。

用于解决问题的方案

为了实现所述目的，本发明的一个方式涉及的成膜装置具有真空容器、成膜源、收容容器、膜厚传感器以及膜厚控制器。

所述成膜源收容在所述真空容器。

所述收容容器收容在所述真空容器，能够维持比所述真空容器内的压力高的压力。

所述膜厚传感器包含具有共振频率的振荡器，在所述膜厚传感器中，在所述振荡器堆积由从所述成膜源释放的成膜材料。

所述膜厚控制器收容在所述收容容器，基于由所述成膜材料的堆积引起的所述振荡频率的变化，计算从所述成膜源释放的所述成膜材料的释放量。

根据这样的成膜装置，因为膜厚控制器收容在真空容器内的收容容器，所以能更稳定地控制成膜装置中的蒸镀速度。

在所述成膜装置中，还可以具有：主控制器，其基于所述膜厚控制器计算出的所述释放量，控制从所述成膜源释放的所述成膜材料的释放量。

根据这样的成膜装置，通过主控制器更稳定地控制成膜装置的蒸镀速度。

在所述成膜装置中，还可以具有：连接管道，其具有互相连结的多个管道，相邻的管道彼此能够弯曲地连结；通信布线，其使所述膜厚控制器与所述主控制器通信。

所述主控制器可以设置在所述真空容器外，所述连接管道可以在所述真空容器的内部与所述收容容器连结，在所述连接管道的内部可以配置有所述通信布线。

根据这样的成膜装置，即使在连接管道的内部配置了使膜厚控制器与主控制器通信的通信布线，也更稳定地控制成膜装置的蒸镀速度。

在所述成膜装置中，所述膜厚控制器与所述主控制器也可以通过所述通信布线利用数字通信进行通信。

根据这样的成膜装置，通过利用数字通信更稳定地控制成膜装置的蒸镀速度。

在所述成膜装置中，所述主控制器可以收容在所述收容容器。

根据这样的成膜装置，主控制器收容在收容容器，更稳定地控制成膜装置的蒸镀速度。

在所述成膜装置中，所述收容容器的压力可以为大气压。