[发明专利]切晶粘晶膜、以及使用了该切晶粘晶膜的半导体封装及其制造方法有效
| 申请号： | 202080005697.5 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN113874456B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 森田稔 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C09J7/24;C09J133/08;C09J163/00;C09J163/02;C09J171/12;C09J11/04;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王博;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切晶粘晶膜 以及 使用 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种切晶粘晶膜，其是粘接剂层与粘合剂层层积而成的切晶粘晶膜，其特征在于，
所述粘接剂层是含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)和无机填充材料(D)的膜状粘接剂的层，
所述苯氧基树脂(C)在25℃的弹性模量为500MPa以上，
所述粘接剂层中，所述苯氧基树脂(C)在所述环氧树脂(A)与所述苯氧基树脂(C)的各含量的合计中所占的比例为40～60质量％，
所述粘接剂层与所述粘合剂层在25～80℃范围内的剥离力为0.40N/25mm以下，
所述粘接剂层的热固化后的导热系数为1.0W/m·K以上。
2.如权利要求1所述的切晶粘晶膜，其特征在于，将所述粘接剂层以5℃/分钟的升温速度从25℃升温时，25～80℃范围内的固化前弹性模量G’为10kPa以上。
3.如权利要求1或2所述的切晶粘晶膜，其特征在于，将所述粘接剂层以5℃/分钟的升温速度从25℃升温时，120℃的熔融粘度在500～10000Pa·s的范围。
4.如权利要求1或2所述的切晶粘晶膜，其中，所述粘合剂层为能量射线固化性。
5.如权利要求3所述的切晶粘晶膜，其中，所述粘合剂层为能量射线固化性。
6.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：
第1工序，按照使所述粘接剂层与半导体晶片的背面相接的方式，将权利要求1～5中任一项所述的切晶粘晶膜热压接设置在表面形成有至少1个半导体电路的半导体晶片的背面；
第2工序，同时切割所述半导体晶片和所述粘接剂层，由此在粘合剂层上得到具备半导体芯片和所述粘接剂层的带粘接剂层的半导体芯片；
第3工序，从所述粘接剂层去除所述粘合剂层，借由所述粘接剂层将所述带粘接剂层的半导体芯片与配线基板热压接；和
第4工序，将所述粘接剂层热固化。
7.一种半导体封装，其特征在于，其是半导体芯片与配线基板、或者半导体芯片间通过权利要求1～5中任一项所述的切晶粘晶膜所具有的粘接剂层的热固化体粘接而成的。
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