[发明专利]非导电膜和半导体层合体的制造方法

说明书

本公开涉及非导电膜和使用所述非导电膜制造半导体层合体的方法，所述非导电膜包括：粘合剂层，所述粘合剂层包含低分子量环氧树脂；和胶粘层，所述胶粘层包含预定组合物。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0070250号和于2020年6月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0071597号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

本公开涉及非导电膜和用于制造半导体层合体的方法。

背景技术

近来，随着电子设备的朝向小型化、高功能化和容量增大的趋势不断扩大，以及对于半导体封装的致密化和高集成度的需求迅速增加，半导体芯片的尺寸变得越来越大。就改善集成度而言，用于以多级式层合芯片的堆叠封装方法逐渐增加。

此外，近来，已经开发了使用硅通孔(Through Silicon Via，TSV)的半导体，并且进行经由凸块接合的信号传输。对于凸块接合主要应用热压接合技术。此时，在热压接合技术中，粘合剂的热固化特性影响封装制造可加工性和封装可靠性。

开发了呈糊料形式的非导电糊料(Non-Conductive Paste，NCP)作为用于在TSV层之间进行填充的粘合剂，但是存在凸块的间距变得更窄并且填充变得困难的问题。为了克服该问题，已经开发了以膜形式实施的非导电膜(Non-Conductive Film，NCF)。

在用于凸块接合的热压接合时，粘合剂必须在高温下快速固化，并且固化在室温下被抑制，以及储存稳定性应良好。在这些粘合剂中，催化剂在控制固化程度方面起着重要作用，并且正在开发用于此目的的热潜伏性催化剂。

此外，为了使粘合剂膜良好地吸收凸块电极高差，在粘合剂膜中必须包含低分子量环氧树脂。然而，粘合剂膜的低分子量环氧树脂朝向胶粘膜迁移，这引起粘合剂膜的物理特性改变的问题，并因此需要开发用于克服该问题的保护膜。

发明内容

技术问题

本公开的一个目的是提供具有优异的室温下储存稳定性并且具有高的产物稳定性和可靠性的非导电膜。

本公开的另一个目的是提供使用上述非导电膜制造半导体层合体的方法。

技术方案

本文中提供了非导电膜，所述非导电膜包括：粘合剂层，所述粘合剂层包含低分子量环氧树脂；和胶粘层，其中所述胶粘层包含：含有1重量％至10重量％的衍生自含羟基的丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的(甲基)丙烯酸酯树脂；和含有基于异氰酸酯的化合物的交联剂。

本文中还提供了用于制造半导体层合体的方法，所述方法包括将上述非导电膜层合在具有导电凸块的基底或具有贯通电极(through electrode)的半导体芯片上。

在下文中，将更详细地描述根据本公开的具体实施方案的非导电膜和用于制造半导体层合体的方法。

本文中使用的术语仅用于描述示例性实施方案，并且不旨在限制本公开。除非其在上下文中明确具有相反含义，否则单数表述包括复数表述。

应理解的是如本文所使用的术语“包含”、“包括”和“具有”旨在指明存在所述特征、数量、步骤、构成要素或其组合，但是应的是理解，这不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、构成要素或其组合的可能性。

由于可以对本公开进行各种修改并且可以存在本公开的各种形式，因此示出了具体实例并将在下面详细地描述。然而，应理解的是这不旨在将本公开限制于本文中公开的特定形式，并且本发明涵盖落入本公开的精神和技术范围内的全部修改、等同方案和替代方案。