[发明专利]非导电膜和半导体层合体的制造方法有效
| 申请号： | 202080004772.6 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112673071B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 金殷英;庆有真;李光珠;韩智浩;延博拉;张美 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C09J163/00 | 分类号： | C09J163/00;C09J133/04;C09J175/04;C09J11/04;C09J7/30;C09J7/25;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 半导体 合体 制造 方法 | ||
1.一种非导电膜，包括：粘合剂层，所述粘合剂层包含低分子量环氧树脂；和胶粘层，
其中所述胶粘层包含：含有2重量％至6重量％的衍生自含羟基的丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的(甲基)丙烯酸酯树脂；和含有基于异氰酸酯的化合物的交联剂，
其中相对于所述(甲基)丙烯酸酯树脂，在所述胶粘层中以3重量％至9重量％的量包含所述含有基于异氰酸酯的化合物的交联剂。
2.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述非导电膜用于使用硅通孔的半导体制造过程。
3.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述低分子量环氧树脂的重均分子量为150g/mol至450g/mol。
4.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述(甲基)丙烯酸酯树脂包含：具有含2至12个碳原子的烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元或包含可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元、以及衍生自所述含羟基的丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元。
5.根据权利要求4所述的非导电膜，
其中所述(甲基)丙烯酸酯树脂包含1重量％至10重量％的所述衍生自含羟基的丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元；以及90重量％至99重量％的具有含2至12个碳原子的烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元或包含可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。
6.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述含羟基的丙烯酸酯单体包括选自以下的一者或更多者：(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、2-羟基乙二醇(甲基)丙烯酸酯和2-羟基丙二醇(甲基)丙烯酸酯。
7.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述基于异氰酸酯的化合物包括选自以下的至少一者：甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、四甲基二甲苯二异氰酸酯和萘二异氰酸酯。
8.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述胶粘层的厚度为5μm至50μm。
9.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述粘合剂层的厚度为5μm至40μm。
10.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中根据以180度的剥离角度和300mm/分钟的剥离速率测量的所述粘合剂层上的所述胶粘层的剥离强度为10g/25mm至60g/25mm。
11.根据权利要求1所述的非导电膜，
其中所述粘合剂层的根据通过施加10Hz的剪切速率和10℃/分钟的升温速率测量的熔体粘度为100Pa·s至10000Pa·s。
12.根据权利要求1所述的非导电膜，还包括形成在所述胶粘层的一个表面上以与所述粘合剂层对置的离型膜。
13.一种用于制造半导体层合体的方法，包括将根据权利要求1所述的非导电膜层合在具有导电凸块的基底或具有贯通电极的半导体芯片上。
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