[实用新型]一种晶圆贴片用治具有效
申请号: | 202023335049.2 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN213905313U | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘峰;石正强 | 申请(专利权)人: | 福建慧芯激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人: | 陈雪莹 |
地址: | 362100 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆贴片用治具 | ||
本实用新型公开了一种晶圆贴片用治具,套设于圆柱形基底外,包括圆筒状侧围板和圆环状顶盖,圆筒状侧围板的上边沿与圆环状顶盖的外圆周沿连接在一起,圆筒状侧围板的口径略大于圆柱形基底的底面的直径,圆环状顶盖的内圆直径略大于晶圆的直径,圆环状顶盖的底部与圆柱形基底的上底面之间留有间隙,且此间隙的高度小于所述晶圆的厚度。本实用新型的晶圆贴片用治具,对晶圆的放置位置进行限位,设计时通过合理设置各处的尺寸,便可使得晶圆由圆环状顶盖的内圆开口处放入时能对准圆柱形基底的上底面的中心,不仅提高了晶圆贴片的工作效率,而且无需在圆柱形基底的上底面上反复移动芯片,不易造成晶圆表面擦伤。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工领域,具体是一种晶圆贴片用治具。
背景技术
芯片封装工艺中,晶圆的贴片工艺通常通过如下方式进行:将圆柱形基底平放在加热台上,通过加热台对圆柱形基底进行加热,使圆柱形基底加热至100℃,然后在圆柱形基底的顶面上涂蜡;涂完蜡后,再把晶圆放至圆柱形基底的顶面的中心位置;然后冷却加热台,使蜡凝固让晶圆固定在圆柱形基底的顶面的中心位置。
现有的这种晶圆贴片工艺,把晶圆放至圆柱形基底的顶面时,如果晶圆没有对准圆柱形基底的顶面的中心位置,会影响后续蒸镀工艺的进行,因此需要人工移动晶圆,使晶圆对准粘在圆柱形基底的顶面的中心位置。单靠人工的目测来对准晶圆,而且很难使晶圆刚好对准粘在圆柱形基底的顶面的中心位置,工作效率较低。而且,贴片过程中,需要人工去前后左右推动晶圆进行对位,容易造成晶圆表面擦伤。
为了解决此难题,申请人对晶圆的贴片工艺进行深入的研究,遂有本案产生。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种晶圆贴片用治具,其可使得晶圆更容易对准粘在圆柱形基底的顶面的中心位置,不仅提高了晶圆贴片的工作效率,而且不易造成晶圆表面擦伤。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶圆贴片用治具,套设于圆柱形基底外,包括圆筒状侧围板和圆环状顶盖,所述圆筒状侧围板的上边沿与所述圆环状顶盖的外圆周沿连接在一起,所述圆筒状侧围板的口径略大于圆柱形基底的底面的直径,所述圆环状顶盖的内圆直径略大于晶圆的直径,所述圆环状顶盖的底部与所述圆柱形基底的上底面之间留有间隙,且此间隙的高度小于所述晶圆的厚度。
所述圆筒状侧围板的口径比所述圆柱形基底的底面的直径大0.5-1mm,所述圆环状顶盖的内圆直径比所述晶圆的直径大0.5-1mm。
所述圆环状顶盖的底部与所述圆柱形基底的上底面之间留有0.1mm的间隙。
所述圆环状顶盖上设有贯穿其厚度方向的操作缺口,此操作缺口沿径向贯穿所述圆环状顶盖的内圆和外圆,且此操作缺口的外端向下延伸至所述圆筒状侧围板的中上部并贯穿所述筒状侧围板的厚度方向。
采用上述方案后,本实用新型的晶圆贴片用治具,套设在圆形基底外,圆筒状侧围板的口径略大于圆柱形基底的底面的直径,圆环状顶盖的内圆直径略大于晶圆的直径,圆环状顶盖的底部与圆柱形基底的上底面之间留有间隙,且此间隙的高度小于晶圆的厚度。本实用新型的晶圆贴片用治具,对晶圆的放置位置进行限位,设计时通过合理设置各处的尺寸,便可使得晶圆由圆环状顶盖的内圆开口处放入时能对准圆柱形基底的上底面的中心,不仅提高了晶圆贴片的工作效率,而且无需在圆柱形基底的上底面上反复移动晶圆,不易造成晶圆表面擦伤。
进一步地,本实用新型中,所述圆筒状侧围板的口径比所述圆柱形基底的底面的直径大0.5-1mm,所述圆环状顶盖的内圆直径比所述晶圆的直径大0.5-1mm。这样,整个贴片工序的误差控制在2mm以内,符合贴片工序的误差要求。
进一步地,为了利于操作,所述圆环状顶盖的底部与所述圆柱形基底的上底面之间留有0.1mm的间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造