[实用新型]一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构

说明书

本实用新型公开了一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构，包括腔体外壳；与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈；设置在支撑环圈上的第二隔离组件；以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件，所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。本实用新型可以有效地解决了不同类型的化学清洗液无法在同一个晶圆清洗设备的清洗腔内分段清洗的问题，有效地提高了单片式晶圆清洗设备的清洗效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构。

背景技术

化学清洗是利用各种化学试剂或有机溶剂来清除附着在物体表面的杂质的方法。在半导体制造领域，化学清洗是指清除吸附在半导体、金属材料以及用具等物体表面上的各种有害杂质或者油污的工艺过程。

晶圆清洗是以整个批次或者单一晶圆，通过化学清洗的方法，藉由化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺，其主要目的是清除晶圆表面的污染物，例如微尘颗粒(particle)、有机物(organic)、无机物以及金属离子(metal ion)等杂质。

目前，通常是通过晶圆清洗设备上的喷淋头喷洒化学清洗液来去除晶圆表面的污染物，但目前所有的晶圆清洗设备内只设置有一个清洗腔，因此一个晶圆清洗设备的清洗腔内通常只使用同一种清洗液，不同类型的化学清洗液无法在同一个晶圆清洗设备的清洗腔内进行分段清洗，单片式清洗设备的清洗效率很低。

且对于65-14nm pitch需求的晶圆清洗湿法工艺，以及尺寸为14nm以下扩及到5nmpitch的晶圆产品，在尺寸效应的作用下，晶圆湿法工艺的核心问题在于液体残留在纳米晶圆的微结构中。储存类产品DRAM NAND等相关性的结构，具有不同的金属化微结构及高深宽比图案化分布，如果运用一般的清洗方法，由于液体颗粒的聚集，无法对纳米晶圆的表面进行很好的清洗，是当前亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构，用以解决上述背景技术中存在的问题。

一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构，所述复合腔体结构设置在晶圆清洗设备的设备外壳内，设备外壳上安装有可来回摆动的喷淋管，喷淋管上安装有液体清洗喷头、雾化清洗喷头和氮气喷头，所述氮气喷头朝向所述雾化清洗喷头，

所述复合腔体结构包括腔体外壳、与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈、设置在支撑环圈上的第二隔离组件；以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件，所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。

优选地，所述第一隔离组件包括第一层隔离环圈和第三层隔离环圈，所述第二隔离组件包括第二层隔离环圈和第四层隔离环圈，

所述第一层隔离环圈与第三层隔离环圈相扣合；

所述第二层隔离环圈设置在第一层隔离环圈和第三层隔离环圈之间且其底部支撑在所述支撑环圈上，第一层隔离环圈与第二层隔离环圈之间形成第一层引流腔，第二层隔离环圈与第三层隔离环圈之间形成第二层引流腔；

所述第三层隔离环圈设置在第四层隔离环圈与支撑环圈之间，第三隔离环圈与第四隔离环圈之间形成第三层引流腔；

所述第四层隔离环圈扣合固定在支撑环圈的内边沿上，所述第四层隔离环圈内部设置有第一引流槽道。

优选地，所述第一层隔离环圈、第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的下表面均设置有防溅板。

优选地，所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的内部均开设有导管槽，第二层隔离环圈上的导管槽与第一层引流腔相连通，第三层隔离环圈上的导管槽与第二层引流腔相连通，第四层隔离环圈上的导管槽与第三层引流腔相连通。