[实用新型]一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构有效
申请号: | 202023321922.2 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN214672515U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 廖世保;邓信甫;刘大威;陈丁堃 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司;江苏启微半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人: | 杜冰云;周涛 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 清洗 设备 复合 结构 | ||
1.一种用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述复合腔体结构设置在晶圆清洗设备的设备外壳内,设备外壳上安装有可来回摆动的喷淋管,喷淋管上安装有液体清洗喷头、雾化清洗喷头和氮气喷头,所述氮气喷头朝向所述雾化清洗喷头,
所述复合腔体结构包括腔体外壳、与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈、设置在支撑环圈上的第二隔离组件;以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件,所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第一隔离组件包括第一层隔离环圈和第三层隔离环圈,所述第二隔离组件包括第二层隔离环圈和第四层隔离环圈,
所述第一层隔离环圈与第三层隔离环圈相扣合;
所述第二层隔离环圈设置在第一层隔离环圈和第三层隔离环圈之间且其底部支撑在所述支撑环圈上,第一层隔离环圈与第二层隔离环圈之间形成第一层引流腔,第二层隔离环圈与第三层隔离环圈之间形成第二层引流腔;
所述第三层隔离环圈设置在第四层隔离环圈与支撑环圈之间,第三隔离环圈与第四隔离环圈之间形成第三层引流腔;
所述第四层隔离环圈扣合固定在支撑环圈的内边沿上,所述第四层隔离环圈内部设置有第一引流槽道。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第一层隔离环圈、第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的下表面均设置有防溅板。
4.根据权利要求2或3所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的内部均开设有导管槽,第二层隔离环圈上的导管槽与第一层引流腔相连通,第三层隔离环圈上的导管槽与第二层引流腔相连通,第四层隔离环圈上的导管槽与第三层引流腔相连通。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的上表面还设置有覆盖导管槽的喷淋板,喷淋板上开设有若干个阵列排布的喷水孔。
6.根据权利要求2或3所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第一层隔离环圈包括第一环圈本体,第一环圈本体的内壁上延伸出有自外向内逐渐向上倾斜的第一隔离罩,第一环圈本体的外壁向四周水平延伸出有第一环沿,第一环沿的底部开设有第一卡槽。
7.根据权利要求6所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,第三层隔离环圈包括第三环圈本体、设置在第三环圈本体内侧的第三隔离罩,所述第三环圈本体的顶部向四周水平延伸出有与顶升元件固定连接的第三环沿,第三环沿上向上延伸出有凸起,第三环圈本体竖直穿过支撑环圈并使其凸起卡在第一卡槽内;
所述第三环圈本体的底部通过多个连接件与第三隔离罩相连。
8.根据权利要求7所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述支撑环圈包括第五环圈本体,所述第五环圈本体的顶部开设有用以与卡环相扣合的第二卡槽,
第五环圈本体的内壁中部水平延伸出有支撑凸环,第二层隔离环圈的底部设置在所述支撑凸环上,支撑凸环上开设有若干个在圆周方向均匀分布的导流孔;
第五环圈本体的下部开设有若干个在圆周方向均匀分布的与位于其上方的导流孔相对应的第一引流孔;
第五环圈本体的底部向内水平延伸出有支撑环沿,支撑环沿上开设有多个第二引流孔。
9.根据权利要求2或3所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第二层隔离环圈包括第二环圈本体,所述第二环圈本体的底部水平向外延伸出有第二环沿,所述第二环沿与第二环圈本体的连接处开设有多个在周向均匀分布的槽口。
10.根据权利要求2或3所述的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构,其特征在于,所述第四层隔离环圈包括第四环圈本体,所述第四环圈本体上开设有若干个在周向方向等距分布的槽孔;
第四环圈本体的外壁顶部延伸出有自内向外逐渐向下倾斜的内环壁,
第四环圈本体的外壁底部延伸出有第一外环壁,第一外环壁向上弯折形成第二引流槽道,第二引流槽道底部开设有多个用以将流入该槽道内的清洗液排至腔体外壳的第三引流槽道内的第三引流孔;
第四环圈本体的外壁中部延伸出向上弯折的第二外环壁,第二外环壁位于内环壁与第一外环壁之间且其与内环壁之间形成第一引流槽道,第一引流槽道与第一排液管相连通,所述第一排液管设置在第二外环壁底部并穿过第一外环壁和腔体外壳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造