[实用新型]一种压控振荡器基座有效
申请号: | 202023320297.X | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN214544251U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 郭正江 | 申请(专利权)人: | 杭州鸿星电子有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 310000 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压控振荡器 基座 | ||
1.一种压控振荡器基座,其特征在于,包括:
一基板层,所述基板层上表面包括一第一图案化导电层,并于下表面引出复数个电极;
一芯片贴装层,叠置于所述基板层的上表面,所述芯片贴装层上表面包括一第二图案化导电层,所述第二图案化导电层包括一适配电路控制芯片接地区域的接地图形;
一键合绑定层,叠置于所述芯片贴装层的上表面,所述键合绑定层具有一暴露所述接地图形的第一开口,并包括一设置于上表面的配合电路控制芯片引脚的图案化焊垫层,所述图案化焊垫层包括一适配第一类电路控制芯片的第一焊接区域,以及一适配第二类电路控制芯片的第二焊接区域;
一晶体搭载层,叠置于所述键合绑定层上表面,所述晶体搭载层具有一暴露所述图案化焊垫层及所述第一开口的第二开口,并设置有图案化的晶体连接层;
一凹槽层,叠置于所述晶体搭载层上表面,所述凹槽层设置有供所述晶体搭载层搭载的所述晶体自所述凹槽层穿出的第三开口,并设置有围绕所述晶体的槽壁;
一封盖层,叠置于所述凹槽层的所述槽壁顶部,所述封盖层与所述槽壁形成容纳所述晶体的腔体。
2.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述基板层、所述芯片贴装层、所述键合绑定层、所述晶体搭载层及所述凹槽层相互叠置后形成一基体,所述基体侧边设置有复数个导电槽,所述复数个电极中的至少一个电极、所述第一图案化导电层、所述第二图案化导电层、所述图案化焊垫层及所述槽壁分别通过对应的导电槽连通。
3.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述基板层、所述芯片贴装层、所述键合绑定层、所述晶体搭载层及所述凹槽层分别设置有对应数量的接触孔,所述复数个电极中的至少一个电极、所述第一图案化导电层、所述第二图案化导电层、所述图案化焊垫层、所述晶体连接层及所述槽壁分别通过对应的接触孔连通。
4.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,第二开口一侧边设置用于支撑所述晶体的支撑结构。
5.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述封盖层为一金属上盖。
6.如权利要求5所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述金属上盖外缘设置有一封焊圈,所述金属上盖通过所述封焊圈与所述槽壁的顶部密封连接。
7.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述电极设置6个。
8.如权利要求2所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述基体横截面为矩形,所述矩形四角设置有倒角,所述导电槽沿所述倒角设置。
9.如权利要求8所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述导电槽均布于所述矩形一对短边上。
10.如权利要求1所述的压控振荡器基座,其特征在于,所述槽壁接地。
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