[实用新型]一种TFT防静电结构

说明书

本实用新型公开了一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接，所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线直接与VCOM电极连接；所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线；区别于传统TFT膜层制程完成后才可以实现静电释放的结构，以上结构在TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过过渡走线与VCOM电极电性导通，使得产品在制作过程中即可分散、释放静电，达到保护面板，提升良品率的目的；TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，保证产品的正常使用。

技术领域

本实用新型涉及显示模组防静电结构领域，尤其涉及一种TFT防静电结构。

背景技术

在TFT产品制造的过程中，各个环节都会产生一些静电，如不能很好的释放及消除静电，会对产品造成一定的损坏，严重影响产品的可靠性；为了解决静电问题，我们常对TFT产品进行一些防静电设计，例如ESD环等，ESD环结构可在TFT产品制程完成后达到释放静电的效果，有效保护TFT面板，但在TFT产品在制程中，由于TFT膜层尚未铺设完成，VCOM电极、TFT膜层、栅极走线无法形成释放静电的通路，使用传统的除静电结构无法有效释放和消除TFT产品在制造过程中产生的静电，使得制造过程中的TFT无法得到有效保护，产品可靠性也无法得到保证。

实用新型内容

为解决上述传统TFT产品防静电结构设计无法释放产品制造过程中产生的静电，无法使产品得到有效保护的问题，本实用新型提出了一种TFT防静电结构，通过设置过渡走线将TFT产品在制造的过程中的VCOM电极、G-走线直接电性导通，达到消除产品制程中静电的效果，具体通过如下结构实现。

一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接。

所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线直接与VCOM电极连接；

所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线，所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极电性导通，实现制程中静电的释放；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，栅极走线通过TFT膜层与VCOM电极电性导通，保证产品的正常使用。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述栅极走线、过渡走线与所述TFT膜层同步逐层铺设、蚀刻，制程简便，无需增设工序。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述TFT膜层还包括与所述金属层交替层叠设置的绝缘层，其第一金属层形成于所述基板上，所述绝缘层设置于相邻金属层之间以及最后一层金属层之上。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层次结构中，其第一金属层形成于基板上，其绝缘层设置于相邻金属层之间，以及覆于过渡走线的最上层。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的第一绝缘层设置有过孔，其第一金属层与第二金属层通过所述过孔电性连接。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，除第一绝缘层外的绝缘层均设置有蚀刻过孔，所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，通过所述蚀刻过孔刻断除第一金属层以外的其它金属层。

作为本实用新型提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，除第一金属层以外，其余金属层的均为同种材质，更加便于TFT最后一金属层制程完毕后过渡走线的刻断。