[实用新型]一种TFT防静电结构

权利要求书

1.一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接，其特征在于：

所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极连接；

所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜结构，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极电性导通；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，栅极走线通过TFT膜层与VCOM电极电性导通。

2.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述栅极走线、过渡走线与所述TFT膜层同步逐层铺设、蚀刻。

3.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述TFT膜层还包括与所述金属层交替层叠设置的绝缘层，其第一金属层形成于所述基板上，所述绝缘层设置于相邻金属层之间以及最后一层金属层之上。

4.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述过渡走线的多层次结构中，其第一金属层形成于基板上，最后一层金属层被完全蚀刻去除，其绝缘层设置于相邻金属层之间，以及覆于过渡走线的最上层。

5.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述过渡走线的第一绝缘层设置有过孔，其第一金属层与第二金属层通过所述过孔电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述过渡走线的多层结构中，除第一绝缘层以外的绝缘层均设置有蚀刻过孔，所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，通过所述蚀刻过孔刻断除第一金属层以外的其它金属层。

7.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述过渡走线的多层结构中，除第一金属层以外，其余金属层的均为同种材质。

8.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：在所述TFT膜层的多层结构中，其第一绝缘层与第二金属层之间还设置有a-Si层、N⁺ a-Si层，所述a-Si层形成于第一绝缘层之上，所述N⁺ a-Si层覆于a-Si层以及第一绝缘层上方。

9.根据权利要求8所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：在所述TFT膜层的多层结构中，其第二金属层通过过孔结构被第二绝缘层划分为源极、漏极，所述N⁺ a-Si层对应所述源极、漏极设置。