[实用新型]一种MEMS器件晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 202023282843.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214399812U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 苏航;李永智;吕军;赖芳奇;金科 | 申请（专利权）人： | 苏州科阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215143 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
MEMS晶圆(301)，包括器件结构和设置在所述器件结构四周的金属垫(302)；
盖板基板(101)，包括至少两个分板，各个所述分板分别与所述器件结构对应设置，所述金属垫(302)设置在各个所述分板四周，所述盖板基板(101)连接在所述MEMS晶圆(301)上；
干膜，连接在所述盖板基板(101)和所述MEMS晶圆(301)之间，所述盖板基板(101)和所述干膜封装所述器件结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属垫(302)上焊接锡球(304)。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属垫(302)和所述锡球(304)之间设置有保护层(303)。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述保护层为Ni/Au或Ni/Pd材料。
5.根据权利要求2所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述锡球(304)的高度不小于100um。
6.根据权利要求1-4任一项所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，各个所述金属垫(302)沿所述盖板基板(101)对称设置。
7.根据权利要求1-4任一项所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述MEMS晶圆(301)上设置有密封胶，所述密封胶与所述干膜连接。
8.根据权利要求1-4任一项所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述盖板基板(101)为硅片或玻璃板。
9.根据权利要求1-4任一项所述的MEMS器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述盖板基板(101)的厚度为0.45mm-0.75mm。
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