[实用新型]一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置

说明书

本实用新型公开一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置，属于HIT电池制备技术领域。针对现有技术中存在的HIT电池的PVD镀膜时使用离子源辅助会牺牲阴极位，影响产能，且离子源与阴极在同一腔室容易导致工艺不稳定等问题，本实用新型提供一种连续镀膜PVD中离子源辅助装置，分子泵室与溅射室间隔设置，载板依次通过工艺室中各分子泵室和溅射室；离子源位于分子泵室中，旋转阴极设置在溅射室中，载板依次进入分子泵室和溅射室，分子泵室的离子源对基底表面的薄膜进行处理，溅射室的旋转阴极在基底沉积薄膜，离子源设置在分子泵室，实现无需占用阴极位置即可进行离子源辅助应有，生产工艺更稳定效率更高。

技术领域

本实用新型涉及HIT电池制备技术领域，更具体地说，涉及一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置。

背景技术

HIT电池指的是采用HIT结构的硅太阳能电池，采用单晶硅衬底和非晶硅薄膜异质结的结构，HIT电池在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的做法，让HIT电池兼具了晶体硅电池与薄膜电池的优势。PVD，Physical Vapor Deposition，表示物理气相沉积，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术，主要分为真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜三类。采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长；同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。

目前用HIT电池PVD设备很少使用离子源辅助技术，中国专利申请平面离子源增强沉积镀膜机，申请号CN03211547.4，公开日2020年1月3日，公开一种平面离子源增强沉积镀膜机，包括真空系统、加热系统、偏压系统、供气系统、工件传动机构以及平面离子源和磁控溅射、多弧等金属溅射蒸发源。平面离子源是由内阳极、狭缝阴极、磁场、阴极屏蔽和气路组成。在一定的真空条件下，产生带有一定能量的气体离子、清洗工件表面，与金属蒸发源产生的金属离子反应，在工件表面沉积高结合力的薄膜。主要用于工模具、装饰镀膜和功能薄膜等领域，尤其适用于大面积的平面形状工件表面镀膜，该发明离子源在工作时使用离子源替代阴极位中的一个靶位，对产能有较大影响。

现有技术使用的离子源辅助镀膜中使用离子源替代阴极位中的一个靶位，实现对硅片表面非晶硅层的清洁及TCO薄膜的晶粒优化，该方法牺牲了一个阴极位，对于实际生产型设备中对产能有严重影响，在当前HIT电池行业增量减本的大趋势下，使用离子源替代阴极位中的一个靶位并不适用于大批量生产。另外由于离子源与阴极在同一室中，存在离子源气体影响工艺气氛的问题，容易导致工艺的不稳定性，对HIT电池生产的连续性的保证存在挑战。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的HIT电池的PVD镀膜时使用离子源辅助会牺牲阴极位，影响产能，且离子源与阴极在同一腔室容易导致工艺不稳定等问题，本实用新型提供一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置，它可以实现无需占用阴极位置，生产工艺更稳定效率更高，可以实现更高的产能。

2.技术方案

本实用新型的目的通过以下技术方案实现。

一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置，包括进端锁室、进端缓冲室、进端过渡室、工艺室、出端过渡室、出端缓冲室和出端锁室，所述工艺室中包括间隔设置的分子泵室和溅射室，所述分子泵室中设置有离子源，所述溅射室中设置有旋转阴极，所述离子源用于进行辅助处理，所述旋转阴极用于沉积薄膜。本实用新型在分子泵室实现离子源作用，对溅射室没有干扰作用，真正实现工艺的连续生产。在HIT电池中需要对硅片的上表面和下表面都进行镀膜操作，本实用新型所述装置在不用牺牲阴极位的前提下即可使用离子源对镀膜过程进行辅助，提高生产效率。