[实用新型]一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置有效

专利信息
申请号: 202023279035.3 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN214529216U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 解传佳;张永胜;刘浏 申请(专利权)人: 苏州迈为科技股份有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/56;C23C14/16;H01L31/18
代理公司: 江苏瑞途律师事务所 32346 代理人: 金龙
地址: 215200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 hit 电池 连续 镀膜 pvd 离子源 辅助 装置
【权利要求书】:

1.一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,应用于连续镀膜设备中,所述连续镀膜设备包括七个镀膜室,镀膜设备中的镀膜室依次为进端锁室、进端缓冲室、进端过渡室、工艺室、出端过渡室、出端缓冲室和出端锁室,其特征在于,所述工艺室中包括间隔设置的分子泵室和溅射室,所述分子泵室中设置有离子源,所述溅射室中设置有旋转阴极,所述离子源用于进行辅助处理,所述旋转阴极用于沉积薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述离子源设置分子泵室的上端和/或下端,用于对载板上基底的上表面和/或下表面进行辅助处理。

3.根据权利要求2所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述工艺室中包括至少两个分子泵室。

4.根据权利要求2所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述分子泵室设置有传感器,用于触发离子源工作。

5.根据权利要求3所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,离子源设置在分子泵室中的位置为分子泵位,所述分子泵位宽度大于单个旋转阴极位宽度。

6.根据权利要求3所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述分子泵室通过分子泵抽真空,所述分子泵设置在工艺室的侧面。

7.根据权利要求1所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述离子源为使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置。

8.根据权利要求7所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述离子源为条形离子源。

9.根据权利要求8所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述离子源为阳极层离子源。

10.根据权利要求3所述的一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置,其特征在于,所述工艺室中包括至少四个溅射室。

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