[实用新型]坩埚结构

说明书

本实用新型公开了一种坩埚结构，涉及碳化硅单晶生产技术领域。该坩埚结构包括坩埚盖、坩埚桶及填充柱，坩埚桶用于容置原料，坩埚盖用于盖设于坩埚桶顶部的开口。填充柱的口径由两端至中部逐渐减小，且填充柱竖直设置于坩埚桶内，并与坩埚盖的中部对应，从而占据坩埚桶内的部分空间。该坩埚结构具有能够提高原料利用率的特点。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅单晶生产技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构。

背景技术

目前碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式，已经被证明是生长SiC晶体最成熟的方法。将SiC粉料加热到2200～2500℃，在一定保护气氛下，使其升华到冷端籽晶上，结晶成为块状晶体。

随着晶体的生长、由于原料及生长气氛中的硅份逐渐降低，结晶质量也随之下降，晶体一般在原料没有使用完全时就取出，使得原料利用率较低。

有鉴于此，研发设计出一种能够解决上述技术问题的坩埚结构显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种坩埚结构，其具有能够提高原料利用率的特点。

本实用新型提供一种技术方案：

第一方面，本实用新型实施例提供了一种坩埚结构，其包括坩埚盖、坩埚桶及填充柱；

所述坩埚桶用于容置原料，所述坩埚盖用于盖设于所述坩埚桶顶部的开口；

所述填充柱的口径由两端至中部逐渐减小，且所述填充柱竖直设置于所述坩埚桶内，并与所述坩埚盖的中部对应，从而占据所述坩埚桶内的部分空间。

结合第一方面，在第一方面的第一种实现方式中，所述填充柱为石墨柱，且所述填充柱的底端与所述坩埚桶的底壁接触。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第二种实现方式中，所述填充柱包括第一填充部和第二填充部，所述第一填充部和第二填充部均呈圆台状设置，且所述第一填充部口径较小的一端与所述第二填充部口径较小的一端可拆卸地连接。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第三种实现方式中，所述填充柱还包括第三填充部，所述第三填充部呈柱状设置，且所述第三填充部的两端分别与所述第一填充部口径较小的一端以及所述第二填充部口径较小的一端可拆卸地连接，从而连接所述第一填充部和第二填充部。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第四种实现方式中，所述第一填充部上口径较小的一端端面和所述第三填充部的一端端面抵持。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第五种实现方式中，所述填充柱为实心柱，或者，所述填充柱为中空的筒状结构。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第六种实现方式中，所述填充柱上凸设有多条第一导热凸条，多条所述第一导热凸条依次排列设置于所述填充柱的侧面。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第七种实现方式中，多条所述第一导热凸条均水平地绕设于所述填充柱外侧面。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第八种实现方式中，所述坩埚桶上凸设有多条第二导热凸条，多条所述第二导热凸条依次排列设置于所述坩埚桶的内侧壁。

结合第一方面及其上述实现方式，在第一方面的第九种实现方式中，多条所述第二导热凸条均水平地绕设于所述坩埚桶的内侧壁。

相比现有技术，本实用新型实施例提供的坩埚结构相对于现有技术的有益效果包括：