[实用新型]一种硅基OLED微显示屏有效
申请号: | 202023268756.4 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN213635991U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 王健波;吴远武;王绍华;吴迪 | 申请(专利权)人: | 湖畔光电科技(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58;H01L33/50;G03F7/00 |
代理公司: | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 陈烨 |
地址: | 213200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示屏 | ||
本发明涉及微型显示技术领域,尤其是一种硅基OLED微显示屏;包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃,盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构,所述Micro Lens结构包括若干微结构一,位于每个微结构一上的微结构二,以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构,每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置,若干光刻胶微结构等间距设置;本实用新型中的硅基OLED微显示屏,增加了玻璃表面微结构,相比于只采用光刻胶制作的Micro Lens能够达到更好的聚光效果,亮度能够提升30%以上;相比于直接在硅基OLED上直接制作Micro Lens,由于表面平整度更好,良率更易控制。
技术领域
本发明涉及微型显示技术领域,尤其是一种硅基OLED微显示屏。
背景技术
在微型显示技术领域,硅基MicroOLED是近几年发展较为快速的技术,而且已经开始进入商用量产阶段。目前硅基OLED微显示屏彩色化大多采用白光加彩色滤光膜(Colorfilter,简称CF)的方案,亮度基本都在1500cd/m2以内,而市场越来越多的产品对其亮度要求在3000cd/m2以上。现有的OLED器件依靠材料和器件优化,提升的亮度有限,并且随着亮度提升,器件的寿命也会受到影响。
基于硅基OLED衬底直接制作Micro Lens对制作材料要求很高,需要低温(90℃)就能固化形成lens结构。目前能够达到2um以内分辨率并且是低温制作工艺的材料,价格非常高,并且只有少数材料厂商才能够提供。同时,基于硅基OLED衬底直接制作Micro Lens的工艺控制要求较高,良率提升有一定难度。
现有的硅基OLED微显示屏,是基于盖板玻璃,只采用光刻胶固化制作Micro Lens的方法制得,其亮度还可以进一步提高。
发明内容
本发明的目的是:克服现有技术中的不足,提供一种亮度高的硅基OLED微显示屏。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
一种硅基OLED微显示屏,包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃,显示屏和盖板玻璃之间通过贴合胶连接,所述硅基OLED微显示屏包括从上到下依次层叠设置的彩色滤光膜、薄膜封装层、OLED层和硅基CMOS驱动背板;
所述盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构,所述MicroLens结构包括若干微结构一,位于每个微结构一上的微结构二,以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构,每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置,若干光刻胶微结构等间距设置。
进一步的,所述光刻胶微结构、微结构一和微结构二的中心相同。
进一步的,所述微结构一的横截面为矩形图形,所述光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm~0.8μm,所述矩形图形的长宽比为(1:1)~(1:3),微结构一的高度为0.2μm~0.5μm。
进一步的,所述若干微结构一中相邻微结构一之间的间距为2~5μm。
进一步的,所述微结构二的横截面为矩形图形,所述光刻胶图形的横截面的宽度为1~1.2um,所述矩形图形的长宽比为(1:1)~(1:3),微结构二的高度为0.2um~0.5um。
进一步的,所述若干微结构二中相邻微结构二之间的间距为2~5μm。
进一步的,所述光刻胶微结构为半球形结构。
进一步的,所述半球形结构的底面为圆形或椭圆形,当其为圆形时,其直径为1.5~3um;当其为椭圆形时,其短轴长度为1.5~3um,其长轴和短轴的直径为(1:1.1)~(1:3)所述半球形结构的高度为光刻胶的厚度为1.2~3um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的