[实用新型]一种硅基OLED微显示屏有效
申请号: | 202023268756.4 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN213635991U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 王健波;吴远武;王绍华;吴迪 | 申请(专利权)人: | 湖畔光电科技(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58;H01L33/50;G03F7/00 |
代理公司: | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 陈烨 |
地址: | 213200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示屏 | ||
1.一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃,显示屏和盖板玻璃之间通过贴合胶连接,所述硅基OLED微显示屏包括从上到下依次层叠设置的彩色滤光膜、薄膜封装层、OLED层和硅基CMOS驱动背板;
所述盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构,所述Micro Lens结构包括若干微结构一,位于每个微结构一上的微结构二,以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构,每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置,若干光刻胶微结构等间距设置。
2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述光刻胶微结构、微结构一和微结构二的中心相同。
3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述微结构一的横截面为矩形图形,所述光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm~0.8μm,所述矩形图形的长宽比为1:1~1:3,微结构一的高度为0.2μm~0.5μm。
4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述若干微结构一中相邻微结构一之间的间距为2~5μm。
5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述微结构二的横截面为矩形图形,所述光刻胶图形的横截面的宽度为1~1.2um,所述矩形图形的长宽比为1:1~1:3,微结构二的高度为0.2um~0.5um。
6.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述若干微结构二中相邻微结构二之间的间距为2~5μm。
7.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述光刻胶微结构为半球形结构。
8.根据权利要求7所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述半球形结构的底面为圆形或椭圆形,当其为圆形时,其直径为1.5~3um;当其为椭圆形时,其短轴长度为1.5~3um,其长轴和短轴的直径为1:1.1~1:3,所述半球形结构的高度为光刻胶的厚度为1.2~3um。
9.根据权利要求7所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述半球形结构的球面与玻璃表面的接触角度为45°~90°。
10.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏,其特征在于:所述贴合胶折射率小于光刻胶微结构的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的