[实用新型]一种半导体晶体除杂装置有效

专利信息
申请号: 202023263254.2 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN213691972U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 徐永帅 申请(专利权)人: 深圳天成先进材料科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 代理人: 徐文军
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区南湾*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 晶体 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体晶体除杂装置,包括除杂装置本体,所述除杂装置本体由从左右到依次活动安装的进风管、恒温除杂箱、保温箱、低温除杂箱、出风管组成;所述恒温除杂箱、所述低温除杂箱上均开设有门洞,所述门洞通过其上设有的固定机构活动安装有门板;所述恒温除杂箱的门板上固定连接有架体,所述架体从所述门洞穿进所述恒温除杂箱内,所述架体上设置有用于放置半导体晶体的托盘;所述保温箱内固定连接有多层保温板,每个所述保温板上均开设有透气孔;所述低温除杂箱的门板上固定连接有用于容纳多孔吸附材料的外框。本实用新型,设置低温杂质吸附区,晶体除杂效果好,解决了背景技术中提出的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶体除杂技术领域,具体为一种半导体晶体除杂装置。

背景技术

半导体晶体生长基本都是在高温情况下,在其结晶过程中,会从原料、炉体、保温中引入各种各样的杂质,如果杂质不恰当的引入会对晶体的性质(物理性质、电学性质、光学性质等)产生各种不利影响。

目前晶体退火除杂的工艺基本默认在恒温区,晶体只在恒温区退火,恒温区中的杂质浓度会相应偏高,导致退火除杂效果不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体晶体除杂装置,设置低温杂质吸附区,晶体除杂效果好,解决了背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体晶体除杂装置,包括除杂装置本体,所述除杂装置本体由从左右到依次活动安装的进风管、恒温除杂箱、保温箱、低温除杂箱、出风管组成;所述恒温除杂箱、所述低温除杂箱上均开设有门洞,所述门洞通过其上设有的固定机构活动安装有门板;所述恒温除杂箱的门板上固定连接有架体,所述架体从所述门洞穿进所述恒温除杂箱内,所述架体上设置有用于放置半导体晶体的托盘(9);所述保温箱内固定连接有多层保温板,每个所述保温板上均开设有透气孔;所述低温除杂箱的门板上固定连接有用于容纳多孔吸附材料的外框,所述外框从所述门洞穿进所述低温除杂箱内,所述外框的两侧均活动安装有用于将多孔吸附材料封堵在外框内的透气网。

优选的,所述进风管、恒温除杂箱、保温箱、低温除杂箱、出风管通过法兰安装在一起。

优选的,所述固定机构包括固定座、转动座、螺杆、螺筒、手轮、固定槽,所述固定槽开设在所述门板上,所述固定座分别固定连接在所述恒温除杂箱、所述低温除杂箱上,所述转动座转动连接在所述固定座上,所述螺杆固定连接在所述转动座上,所述螺筒螺纹连接在所述螺杆上,所述手轮固定连接在所述螺筒上。

优选的,每个所述保温板上的透气孔相互错开分布。

优选的,所述透气网的网孔大小小于多孔吸附材料的粒径大小。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

1、本实用新型,通过设置恒温除杂箱和低温除杂箱相结合,降低杂质浓度,提高退火除杂效果,同时设置保温箱,中间保温箱是保证恒温除杂箱和低温除杂箱之间存在大的温度差。

2、本实用新型,通过将除杂装置本体设计成从左右到依次活动安装的进风管、恒温除杂箱、保温箱、低温除杂箱、出风管,便于维修维护、拆装。

3、本实用新型,通过设置固定机构,便于门板的拆装,进而便于取出或投放半导体晶体、便于根据不同的半导体晶体更换多孔吸附材料。

附图说明

图1为本实用新型除杂装置本体立体图;

图2为本实用新型除杂装置本体另一立体图;

图3为本实用新型沿着图2中A-A的剖视图;

图4为本实用新型架体立体图;

图5为本实用新型外框立体图;

图6为本实用新型手轮立体图;

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