[实用新型]一种散热结构及芯片封装结构有效
申请号: | 202023234132.0 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN213816132U | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王全龙;曹立强;严阳阳;戴风伟 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/473;H01L21/48;H01L25/065;H01L21/98 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张艳清 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 结构 芯片 封装 | ||
1.一种散热结构,其特征在于,包括:
相对设置的第一板层和第二板层;
所述第一板层中具有第一微流道,第一微流道朝向第二板层;
所述第二板层包括邻接的第一区和第二区,自第一区至第二区的排布方向平行于第二板层的延伸面,第二区背向所述第一板层的表面至所述第一板层的距离小于第一区背向所述第一板层的表面至所述第一板层的距离,所述第一区和第二区中设置有第二微流道,所述第二微流道与第一微流道连通。
2.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述第一板层朝向所述第二板层的表面呈平面,所述第二板层朝向所述第一板层的表面呈平面,所述第一板层朝向所述第二板层的表面平行于所述第二板层朝向所述第一板层的表面。
3.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,位于所述第一区的所述第二微流道的深度大于位于所述第二区的所述第二微流道的深度。
4.根据权利要求3所述的散热结构,其特征在于,位于所述第一区的所述第二微流道的深度与位于所述第二区的所述第二微流道的深度的差值为50μm-700μm。
5.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,还包括:位于所述第一板层中的冷却液入口和冷却液出口,所述冷却液入口和冷却液出口位于所述第一板层背向第二板层的一侧,且所述冷却液入口和冷却液出口与所述第一微流道连通。
6.根据权利要求5所述的散热结构,其特征在于,
所述冷却液入口在第二板层上的正投影位于第一区,所述冷却液出口在所述第二板层上的正投影位于所述第二区;
或者,所述冷却液出口在第二板层上的正投影位于第一区,所述冷却液入口在所述第二板层上的正投影位于所述第二区。
7.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,还包括:
位于所述第一板层和第二板层之间的连接件,所述连接件包括连接的第一键合层和第二键合层;
所述第一键合层背向所述第二键合层的表面连接所述第一板层;
所述第二键合层背向所述第一键合层的表面连接所述第二板层。
8.根据权利要求7所述的散热结构,其特征在于,所述第一键合层围绕所述第一微流道的端口设置;所述第二键合层围绕所述第二微流道的端口设置。
9.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述第二微流道在第一板层上的正投影的形状为蛇形,第一微流道在第二板层上的正投影的形状为蛇形;或者,所述第二微流道在第一板层上的正投影的形状为半回字形,第一微流道在第二板层上的正投影的形状为半回字形;或者,所述第二微流道在第一板层上的正投影的形状为网格形,第一微流道在第二板层上的正投影的形状为网格形。
10.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
权利要求1-9任一项所述的散热结构;
第一芯片,所述第一芯片的背面设置于所述第一区背离所述第一板层的一侧;
第二芯片,所述第二芯片的背面设置于所述第二区背离所述第一板层的一侧,所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。
11.根据权利要求10所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:包封层,所述包封层设置于所述第二板层背离所述第一板层的一侧,所述包封层包裹所述第一芯片与所述第二芯片且暴露出所述第一芯片的正面与所述第二芯片的正面;
重布线结构,所述重布线结构设置于所述包封层背离所述第二板层的一侧表面,所述第一芯片的正面与所述重布线结构连接,所述第二芯片的正面与所述重布线结构连接。
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