[实用新型]一种用于微波还原铜框架表面氧化物的载具有效
| 申请号: | 202023233203.5 | 申请日: | 2020-12-28 | 
| 公开(公告)号: | CN213845240U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 | 
| 发明(设计)人: | 张道迎;娄可柱;张浩 | 申请(专利权)人: | 无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 | 
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;夏苏娟 | 
| 地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 微波 还原 框架 表面 氧化物 | ||
本实用新型属于芯片塑封技术领域,公开了一种用于微波还原铜框架表面氧化物的载具,包括载具框架,所述载具框架安装在支撑柱上,载具框架上开有若干卡槽,所述卡槽的侧壁上设有台阶,卡槽的开口处设有挡墙。所述卡槽开口端的载具框架侧壁上设有磁珠,所述挡墙利用磁珠吸附在卡槽的开口处。所述卡槽开口端的载具框架侧壁的两端下侧设有挡块,所述挡墙上对应挡块的位置设有缺口。本实用新型结构简单,便于携带,能够大幅提高产能,减少操作过程中导致的铜框架变形翘曲金丝变形的影响;能够保持铜框架较好的共面性,实现整体整形的作用。
技术领域
本实用新型属于芯片塑封技术领域,涉及一种载具,具体来说是一种用于微波还原铜框架表面氧化物的载具。
背景技术
在芯片塑封领域,针对QFP(方型扁平式封装技术)、QFN(方形扁平无引脚封装)、SOP(集成电路封装)、SOT(小外形晶体管)等封装形式时用到的铜框架,由于该类铜框架在封装过程中,容易因自然环境,工艺过程等因素,导致铜框架正面和背面被氧化,该氧化层会导致塑封料与铜框架结合的界面产生分层,影响产品性能及可靠性。
目前,微波等离子还原铜框架的专业载具装置尚属空白,现有的大都采用简单的常规载具,常规载具只能对铜框架进行单面还原,单面还原结束后,需要手动将铜框架翻至另一面进行二次还原,由于该类铜框架较柔软且易变形,在翻转的过程中容易变形导致翘曲、键合丝变形等缺点,因此使用常规载具既耗时又繁琐,不利于大批量进行微波等离子还原。
发明内容
本实用新型旨在解决上述问题,提供了一种用于微波还原铜框架表面氧化物的载具,能够快速将铜框架进行固定,操作便捷,可以同时对铜框架正面和背面进行同步还原,还原效果较佳,同时提高工作效率,节省成本。
按照本实用新型的技术方案,所述种用于微波还原铜框架表面氧化物的载具,包括载具框架,所述载具框架安装在支撑柱上,载具框架上开有若干卡槽,所述卡槽的侧壁上设有台阶,卡槽的开口处设有挡墙。
进一步的,所述支撑柱上设有螺纹并安装有调节螺帽。
进一步的,所述台阶为三个。
进一步的,所述卡槽开口端的载具框架侧壁上设有磁珠,所述挡墙利用磁珠吸附在卡槽的开口处。
进一步的,相邻所述卡槽之间的载具框架上开有孔,载具框架的底面开有槽。
进一步的,所述载具框架采用铝材质。
进一步的,所述卡槽开口端的载具框架侧壁的两端下侧设有挡块,所述挡墙上对应挡块的位置设有缺口。
本实用新型的有益效果在于:
1、大幅提高产能:以QFP80产品为例,利用原有载具仅能放置1条铜框架,还原铜框架单面的时间为8Min,结束后需要将设备打开,取出铜框架,手动翻至铜框架背面,背面还原时间8min,整个过程需要近20Min,若使用该新型载具装置,可以同时放置多条(图示中4条)铜框架,且可以同时对铜框架正面、背面进行微波等离子体还原,大幅提升工作效率;
2、减少操作过程中导致的铜框架变形翘曲金丝变形的影响:由于每次仅需将铜框架固定一次,因此减少了铜框架在结束正面还原后,翻至背面的步骤,能够保持铜框架较好的共面性,实现整体整形的作用;
3、装置结构简单,便于携带:装置质量轻,体积小,便于携带,能够快速高效的进行微波等离子还原操作。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型载具框架的结构示意图。
图3为图2的侧视图。
图4为图2的仰视图。
图5为图4中A处结构放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





