[实用新型]一种碳化硅二极管场限环终端结构有效
| 申请号： | 202023208121.5 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213816163U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙) 44337 | 代理人： | 杨立铭 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 场限环 终端 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅二极管场限环终端结构，其特征在于，包括：碳化硅N型半导体衬底，所述碳化硅N型半导体衬底上设置N型外延层，在所述N型外延层靠顶部设置JTE主结区，在所述JTE主结区的附近设置四个附加的外侧P-环，所述JTE主结区和所述外侧P-环的结深为0.5-1微米，所述JTE主结区的宽度为20-30微米，所述外侧P-环的环间距为2-3微米，环宽为4-8微米，所述JTE主结区的顶部部分覆盖设置正面金属，所述正面金属的另一部分设置在所述的N型外延层的顶部，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置背面金属。
2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管场限环终端结构，其特征在于，所述JTE主结区和所述外侧P-环的掺杂浓度均为1～8*1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的碳化硅二极管场限环终端结构，其特征在于，所述JTE主结区与最近的所述外侧P-环的间距小于所述外侧P-环的环间距。
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