[实用新型]高边驱动短路保护电路、高边驱动电路及电子控制系统有效

专利信息
申请号: 202023197289.0 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN214543595U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 张迪;杨英振;李文学;高媛媛;辛振鹏 申请(专利权)人: 潍柴动力股份有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H03K17/08;H03K17/687
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 261061 山东省潍坊*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 驱动 短路 保护 电路 电子 控制系统
【说明书】:

本申请公开了一种高边驱动短路保护电路、高边驱动电路及电子控制系统。该高边驱动短路保护电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和运算放大器;第一晶体管的第一引脚接地,第二引脚分别与第一电阻和运算放大器的输出端相连接,第一晶体管的第三引脚与第二电阻相连接;第一电阻的第二端接地;第二晶体管的第一引脚用于连接电源,第二引脚分别与第三电阻和第二电阻相连接,第三引脚用于连接高边驱动芯片的供电端。本申请的高边驱动短路保护电路,结构简单,硬件成本低,能够应用于电子控制单元的高边驱动电路的短路保护,确保电子控制单元复位时不影响正常工作。

技术领域

本申请涉及电路技术领域,具体涉及一种高边驱动短路保护电路、高边驱动电路及电子控制系统。

背景技术

现行的高边驱动芯片电路方案如图1所示,高边驱动芯片的供电端连接到电源,高边驱动状态下OUT输出短路到地会产生一个大电流,由于电源功率P是一个定值(P=V*I),当发生短路到地时电流I会增大,电压V会被拉低。当电源功率不足时,电压会被拉低到MCU供电电压以下,从而导致复位。现在亟待研发一种能够提供高边驱动芯片短路保护的电路。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种高边驱动短路保护电路、高边驱动电路及电子控制系统。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解,下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念,以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面,提供一种高边驱动短路保护电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和运算放大器;

所述第一晶体管的第一引脚接地,所述第一晶体管的第二引脚分别与所述第一电阻的第一端和所述运算放大器的输出端相连接,所述第一晶体管的第三引脚与所述第二电阻的第一端相连接;所述第一电阻的第二端接地;

所述第二晶体管的第一引脚用于连接电源,所述第二晶体管的第二引脚分别与所述第三电阻的第一端和所述第二电阻的第二端相连接,所述第二晶体管的第三引脚用于连接高边驱动芯片的供电端;所述第三电阻的第二端用于连接电源;

所述运算放大器的同相输入端用于连接电源。

进一步地,所述第一晶体管为NPN型三极管;所述第一晶体管的第一引脚为NPN型三极管的发射极,所述第一晶体管的第二引脚为NPN型三极管的基极,所述第一晶体管的第三引脚为NPN型三极管的集电极。

进一步地,所述第二晶体管为PNP型三极管,所述第二晶体管的第一引脚为PNP型三极管的发射极,所述第二晶体管的第二引脚为PNP型三极管的基极,所述第二晶体管的第三引脚为PNP型三极管的集电极。

进一步地,所述第一晶体管为NMOS管;所述第一晶体管的第一引脚为NMOS管的源极,所述第一晶体管的第二引脚为NMOS管的栅极,所述第一晶体管的第三引脚为NMOS管的漏极。

进一步地,所述第二晶体管为PMOS管,所述第二晶体管的第一引脚为PMOS管的源极,所述第二晶体管的第二引脚为PMOS管的栅极,所述第二晶体管的第三引脚为PMOS管的漏极。

根据本申请实施例的另一个方面,提供一种高边驱动电路,包括高边驱动芯片以及上述的高边驱动短路保护电路;所述高边驱动芯片的供电端与所述第二晶体管的第三引脚相连接。

进一步地,所述高边驱动电路还包括负载电阻,所述负载电阻的第一端与所述高边驱动芯片的输出端相连接,所述负载电阻的第二端接地。

根据本申请实施例的另一个方面,提供一种电子控制系统,包括微处理器以及上述的高边驱动电路,所述微处理器与所述高边驱动电路互相连接。

进一步地,所述电子控制系统还包括分别与所述微处理器相连接的存储器、输入接口、输出接口。

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