[实用新型]高边驱动短路保护电路、高边驱动电路及电子控制系统

权利要求书

1.一种高边驱动短路保护电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和运算放大器；

所述第一晶体管的第一引脚接地，所述第一晶体管的第二引脚分别与所述第一电阻的第一端和所述运算放大器的输出端相连接，所述第一晶体管的第三引脚与所述第二电阻的第一端相连接；所述第一电阻的第二端接地；

所述第二晶体管的第一引脚用于连接电源，所述第二晶体管的第二引脚分别与所述第三电阻的第一端和所述第二电阻的第二端相连接，所述第二晶体管的第三引脚用于连接高边驱动芯片的供电端；所述第三电阻的第二端用于连接电源；

所述运算放大器的同相输入端用于连接电源。

2.根据权利要求1所述的高边驱动短路保护电路，其特征在于，所述第一晶体管为NPN型三极管；所述第一晶体管的第一引脚为NPN型三极管的发射极，所述第一晶体管的第二引脚为NPN型三极管的基极，所述第一晶体管的第三引脚为NPN型三极管的集电极。

3.根据权利要求1所述的高边驱动短路保护电路，其特征在于，所述第二晶体管为PNP型三极管，所述第二晶体管的第一引脚为PNP型三极管的发射极，所述第二晶体管的第二引脚为PNP型三极管的基极，所述第二晶体管的第三引脚为PNP型三极管的集电极。

4.根据权利要求1所述的高边驱动短路保护电路，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS管；所述第一晶体管的第一引脚为NMOS管的源极，所述第一晶体管的第二引脚为NMOS管的栅极，所述第一晶体管的第三引脚为NMOS管的漏极。

5.根据权利要求1所述的高边驱动短路保护电路，其特征在于，所述第二晶体管为PMOS管，所述第二晶体管的第一引脚为PMOS管的源极，所述第二晶体管的第二引脚为PMOS管的栅极，所述第二晶体管的第三引脚为PMOS管的漏极。

6.一种高边驱动电路，其特征在于，包括高边驱动芯片以及权利要求1-5任一项所述的高边驱动短路保护电路；所述高边驱动芯片的供电端与所述第二晶体管的第三引脚相连接。

7.根据权利要求6所述的高边驱动电路，其特征在于，所述高边驱动电路还包括负载电阻，所述负载电阻的第一端与所述高边驱动芯片的输出端相连接，所述负载电阻的第二端接地。

8.一种电子控制系统，其特征在于，包括微处理器以及权利要求6或7的高边驱动电路，所述微处理器与所述高边驱动电路互相连接。

9.根据权利要求8所述的电子控制系统，其特征在于，所述电子控制系统还包括分别与所述微处理器相连接的存储器、输入接口、输出接口。

10.根据权利要求9所述的电子控制系统，其特征在于，所述电子控制系统还包括与所述微处理器相连接的模数转换器。