[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202023172472.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN214428620U | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
晶体管结构，位于衬底表面；
介质层，覆盖所述衬底和所述晶体管结构；
金属层，分立设置在所述介质层顶部表面；
开口，基于所述金属层之间的间隙，设置在所述介质层中；
绝缘层，填充所述开口和所述金属层之间的间隙，所述绝缘层的介电常数小于所述介质层的介电常数，用于减小所述金属层之间的寄生电容，以及所述金属层与所述晶体管结构之间的寄生电容。
2.根据权利要求1所所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层之间的间隙的宽度为10nm～50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括：
第一绝缘膜，位于所述开口和所述金属层侧壁；
第二绝缘膜，位于所述第一绝缘膜侧壁且填充所述开口和所述金属层之间的间隙。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层还包括：空气间隙，由所述第二绝缘膜围成，用于减小所述绝缘层的介电常数。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙还位于所述金属层之间的间隙中。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述空气间隙的长度至少为10nm。
7.根据权利要求3～6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘膜的厚度为2nm～10nm。
8.根据权利要求3～6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜的材料不同，且所述第二绝缘膜的介电常数小于所述第一绝缘膜的介电常数。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括：
第一绝缘膜，位于所述开口和所述金属层侧壁；
第二绝缘膜，位于所述第一绝缘膜侧壁顶部，用于对金属层之间的间隙进行封口；
所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜共同围成空气间隙，所述空气间隙用于减小所述绝缘层的介电常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
