[实用新型]直流恢复模块及光电检测电路有效

专利信息
申请号: 202023171717.2 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN213906635U 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 张帅;杨文伟;许霞;季烨程;夏轩;徐雪阳;潘素敏 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H03F3/68 分类号: H03F3/68;H03F3/45;H03F1/26
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 施婷婷
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 直流 恢复 模块 光电 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种直流恢复模块,其特征在于,所述直流恢复模块至少包括:

跨导运算放大器,接收跨阻放大器的输出信号,将所述跨阻放大器的输出信号与参考信号的电压差放大输出;

电流镜,接收所述跨导运算放大器的输出信号,并以设定比例镜像输出至所述跨阻放大器的输入端,进而消除所述跨阻放大器输入信号中的直流电流分量对所述跨阻放大器的影响。

2.根据权利要求1所述的直流恢复模块,其特征在于:所述跨导运算放大器包括第一级放大单元及第二级放大单元;

所述第一级放大单元采用差分输入单端输出结构,差分输入端分别接收所述跨阻放大器的输出信号及所述参考信号,并将所述跨阻放大器的输出信号与所述参考信号的差值放大输出;

所述第二级放大单元连接所述第一级放大单元的输出端,将所述第一级放大单元的输出信号进一步放大输出。

3.根据权利要求2所述的直流恢复模块,其特征在于:所述第一级放大单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管及第二PMOS管;

所述第一NMOS管及所述第二NMOS管的源极经由所述第三NMOS管接地,所述第三NMOS管的栅极连接偏置电压;所述第一NMOS管及所述第二NMOS管的栅极作为所述第一级放大单元的差分输入端;所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极及栅极,所述第一PMOS管的源极连接电源电压;所述第二PMOS管的源极连接所述电源电压,栅极连接所述第一PMOS管的栅极,漏极连接所述第二NMOS管的漏极并作为所述第一级放大单元的输出端。

4.根据权利要求2或3所述的直流恢复模块,其特征在于:所述第一级放大单元还包括低通滤波器,所述低通滤波器连接于所述跨阻放大器的输出端与所述跨导运算放大器的输入端之间。

5.根据权利要求3所述的直流恢复模块,其特征在于:所述第二级放大单元包括第三PMOS管及第四NMOS管;

所述第三PMOS管的源极连接电源电压,栅极连接所述第一级放大单元的输出端,漏极经由所述第四NMOS管接地,所述第四NMOS管的栅极连接偏置电压;所述第三PMOS管的漏极作为所述第二级放大单元的输出端。

6.根据权利要求5所述的直流恢复模块,其特征在于:所述跨导运算放大器还包括频率补偿单元,所述频率补偿单元连接于所述第三PMOS管的栅极和漏极之间;所述频率补偿单元包括串联的第一电阻及第一电容。

7.根据权利要求6所述的直流恢复模块,其特征在于:所述电流镜包括第五NMOS管及第六NMOS管;所述第五NMOS管的漏极和栅极连接所述跨导运算放大器的输出端,源极接地;所述第六NMOS管的栅极连接所述第五NMOS管的栅极,源极接地,漏极连接所述跨阻放大器的输入端。

8.根据权利要求7所述的直流恢复模块,其特征在于:所述第五NMOS管与所述第六NMOS管的尺寸比值为1:N,N为大于1的实数。

9.根据权利要求8所述的直流恢复模块,其特征在于:所述直流恢复模块的低频截止频率满足如下关系式:

其中,BWLF为所述直流恢复模块的低频截止频率,IDn4为所述第四NMOS的漏电流,IDn6为所述第六NMOS管的漏电流。

10.一种光电检测电路,其特征在于,所述光电检测电路至少包括:

光信号检测模块、跨阻放大器及如权利要求1-9任意一项所述的直流恢复模块;

所述光信号检测模块接收光信号,并将所述光信号转换为电流信号;

所述跨阻放大器连接于所述光信号检测模块的输出端,将电流信号转化为电压信号,并放大输出;所述跨阻放大器包括核心放大器及反馈电阻,所述反馈电阻连接于所述核心放大器的输入端和输出端之间,用于将所述核心放大器输出的电压分量反馈至所述核心放大器的输入端;

所述直流恢复模块的输入端连接所述跨阻放大器的输出端,所述直流恢复模块的输出端连接所述跨阻放大器的输入端,通过分流所述光信号检测模块输出的直流电流分量消除所述直流电流分量对所述跨阻放大器的影响。

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