[实用新型]一种大电流场效应晶体管有效
| 申请号: | 202023119587.8 | 申请日: | 2020-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN214313181U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
| 发明(设计)人: | 邓小梅 | 申请(专利权)人: | 先之科半导体科技(东莞)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L29/78;H01L23/62 |
| 代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 姜华 |
| 地址: | 523430 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 场效应 晶体管 | ||
本实用新型系提供一种大电流场效应晶体管,包括绝缘封装体,绝缘封装体内设有场效应管芯片,场效应管芯片的漏极焊接于D极导电脚上,D极导电脚的相对两侧分别设有S极导电脚和G极导电脚;S极导电脚通过S极导电桥片与场效应管芯片的源极连接,S极导电脚上固定有S极定位柱,S极导电桥片中设有S极定位孔;G极导电脚通过G极导电桥片与场效应管芯片的栅极连接,G极导电脚上固定有G极定位柱,G极导电桥片中设有G极定位孔。本实用新型不仅能够显著提高场效应管芯片的散热性能,还能够显著提高导电脚与场效应管芯片之间的导电性能,大电流工作的情况下性能优良,整体结构稳定牢固,使用寿命长。
技术领域
本实用新型涉及场效应晶体管,具体公开了一种大电流场效应晶体管。
背景技术
场效应晶体管又称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应晶体管按封装类型分为直插式封装和贴片式封装,贴片式封装的场效应晶体管通常用于扁平式设计的电子产品中,但由于贴片式封装的场效应晶体管是紧贴安装于PCB板表面的,工作时产生的热量只能从场效应晶体管的上方实现散热,散热效率低,影响场效应晶体管的工作性能,现有技术中的场效应管中芯片与引脚之间通过导线桥接,大电流工作时产生的热量多,大电流工作不稳定。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种大电流场效应晶体管,具有良好的散热性能以及导电性能,大电流工作稳定,整体结构稳定牢固。
为解决现有技术问题,本实用新型公开一种大电流场效应晶体管,包括绝缘封装体,绝缘封装体内设有场效应管芯片,场效应管芯片的漏极焊接于D极导电脚上,D极导电脚的相对两侧分别设有S极导电脚和G极导电脚;
S极导电脚通过S极导电桥片与场效应管芯片的源极连接,S极导电桥片紧贴于场效应管芯片的源极和S极导电脚上,S极导电脚上固定有S极定位柱,S极导电桥片中设有S极定位孔,S极定位柱接插于S极定位孔中;
G极导电脚通过G极导电桥片与场效应管芯片的栅极连接,G极导电桥片紧贴于场效应管芯片的栅极和G极导电脚上,G极导电脚上固定有G极定位柱,G极导电桥片中设有G极定位孔,G极定位柱接插于G极定位孔中。
进一步的,D极导电脚包括依次连接的D极上平板、D极立板和D极下平板,场效应管芯片的漏极焊接于D极上平板上;S极导电脚包括依次连接的S极上平板、S极立板和S极下平板,S极定位柱固定于S极上平板上;G极导电脚包括依次连接的G极上平板、G极立板和G极下平板,G极定位柱固定于G极上平板上。
进一步的,绝缘封装体的底部固定有散热陶瓷座,散热陶瓷座中设有凹陷槽,D极上平板位于凹陷槽中,S极上平板和G极上平板均位于散热陶瓷座上。
进一步的,散热陶瓷座上还设有若干加固槽,加固槽位于S极上平板和G极上平板的四周。
进一步的,S极定位柱和G极定位柱均为导电银胶柱。
进一步的,G极导电桥片靠近S极导电桥片的一端形状与场效应管芯片中栅极的形状相同,G极导电桥片与S极导电桥片之间连接有绝缘胶层。
进一步的,绝缘胶层的底部固定有绝缘凸条,绝缘凸条位于场效应管芯片的栅极和源极之间。
本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种大电流场效应晶体管,场效应管芯片的顶部两个电极通过导电桥片紧贴连接的方式与对应的导电脚实现导通,不仅能够显著提高场效应管芯片的散热性能,还能够显著提高导电脚与场效应管芯片之间的导电性能,大电流工作的情况下性能优良,导电桥片与导电脚之间的连接结构能够有效释放注塑封装过程中产生的应力,可有效避免绝缘封装体被撕裂,整体结构稳定牢固,使用寿命长。
附图说明
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