[实用新型]一种大电流场效应晶体管

权利要求书

1.一种大电流场效应晶体管，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有场效应管芯片(20)，所述场效应管芯片(20)的漏极焊接于D极导电脚(30)上，所述D极导电脚(30)的相对两侧分别设有S极导电脚(40)和G极导电脚(50)；

所述S极导电脚(40)通过S极导电桥片(60)与所述场效应管芯片(20)的源极连接，所述S极导电桥片(60)紧贴于所述场效应管芯片(20)的源极和所述S极导电脚(40)上，所述S极导电脚(40)上固定有S极定位柱(41)，所述S极导电桥片(60)中设有S极定位孔(61)，所述S极定位柱(41)接插于所述S极定位孔(61)中；

所述G极导电脚(50)通过G极导电桥片(70)与所述场效应管芯片(20)的栅极连接，所述G极导电桥片(70)紧贴于所述场效应管芯片(20)的栅极和所述G极导电脚(50)上，所述G极导电脚(50)上固定有G极定位柱(51)，所述G极导电桥片(70)中设有G极定位孔(71)，所述G极定位柱(51)接插于所述G极定位孔(71)中。

2.根据权利要求1所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述D极导电脚(30)包括依次连接的D极上平板(301)、D极立板(302)和D极下平板(303)，所述场效应管芯片(20)的漏极焊接于所述D极上平板(301)上；所述S极导电脚(40)包括依次连接的S极上平板(401)、S极立板(402)和S极下平板(403)，所述S极定位柱(41)固定于所述S极上平板(401)上；所述G极导电脚(50)包括依次连接的G极上平板(501)、G极立板(502)和G极下平板(503)，所述G极定位柱(51)固定于所述G极上平板(501)上。

3.根据权利要求2所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘封装体(10)的底部固定有散热陶瓷座(90)，所述散热陶瓷座(90)中设有凹陷槽(91)，所述D极上平板(301)位于所述凹陷槽(91)中，所述S极上平板(401)和所述G极上平板(501)均位于所述散热陶瓷座(90)上。

4.根据权利要求3所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述散热陶瓷座(90)上还设有若干加固槽(92)，所述加固槽(92)位于所述S极上平板(401)和所述G极上平板(501)的四周。

5.根据权利要求1所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述S极定位柱(41)和所述G极定位柱(51)均为导电银胶柱。

6.根据权利要求1所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述G极导电桥片(70)靠近所述S极导电桥片(60)的一端形状与所述场效应管芯片(20)中栅极的形状相同，所述G极导电桥片(70)与所述S极导电桥片(60)之间连接有绝缘胶层(80)。

7.根据权利要求6所述的一种大电流场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘胶层(80)的底部固定有绝缘凸条(81)，所述绝缘凸条(81)位于所述场效应管芯片(20)的栅极和源极之间。