[实用新型]半导体圆晶清洗设备

说明书

本实用新型公开了一种半导体圆晶清洗设备，包括机架，所述机架由干湿隔断门分隔成湿式清洗区和干式清洗区；所述湿式清洗区包括化学试剂清洗室、纯水清洗室、用于运输花篮的湿式机械手和用于清洗湿式机械手的机械手清洗室；所述干式清洗区包括圆晶甩干室、圆晶存放室和用于运输花篮的干式机械手；所述机架上安装有用于驱动所述湿式机械手/所述干式机械手进行上下和/或左右移动的驱动模组。本实用新型利用机械手实现化学试剂清洗、纯水清洗和甩干三道工序，提高半导体清洗的自动化程度；且各个清洗室的结构设计利于提高半导体清洗的洁净效果，有助于产品良率的提高。

技术领域

本实用新型属于半导体清洗技术领域，特别是涉及一种半导体圆晶清洗设备。

背景技术

现有的清洗工艺通常采用将晶圆利用酸碱有机物等液体化学品等进行浸泡或冲洗，用以达到清洗表面颗粒、去除反应聚合物、刻蚀表面膜层等目的，在化学液体清洗晶圆表面颗粒后，通常使用去离子水将化学液体冲洗去除。

但是目前的清洗容器，结构相对简单，在浸泡时，圆晶本体一般处于静止状态，这样容易导致容器内壁与圆晶本体接触的部分，出现浸泡不完全的情况，同时现有的容器功能单一，在清洗环节，仅具有浸泡效果或冲洗效果当中的一点，实用性较差。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种半导体圆晶清洗设备，利用机械手实现化学试剂清洗、纯水清洗和甩干三道工序，提高半导体清洗的自动化程度；且各个清洗室的结构设计利于提高半导体清洗的洁净效果，有助于产品良率的提高。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：一种半导体圆晶清洗设备，包括机架，所述机架由干湿隔断门分隔成湿式清洗区和干式清洗区；

所述湿式清洗区包括化学试剂清洗室、纯水清洗室、用于运输花篮的湿式机械手和用于清洗湿式机械手的机械手清洗室；

所述干式清洗区包括圆晶甩干室、圆晶存放室和用于运输花篮的干式机械手；

所述机架上安装有用于驱动所述湿式机械手/所述干式机械手进行上下和/ 或左右移动的驱动模组；

所述化学试剂清洗室包括注入化学试剂的第一清洗槽、震荡器、用于固定所述震荡器的震荡器固定架、兆声器、用于固定所述兆声器的兆声器固定架和翻盖结构，所述震荡器固定架位于所述第一清洗槽内，花篮放置于所述震荡器固定架上，所述兆声器固定架位于所述第一清洗槽的下方且与所述第一清洗槽密封连接，所述兆声器固定架与所述第一清洗槽之间注入有声波传输介质；

所述纯水清洗室包括注入纯水的第二清洗槽和高低浓度废液排放结构，所述第二清洗槽包括第二清洗槽本体，所述第二清洗槽本体的内部由矩形溢流板分隔成第二内清洗槽和第二外清洗槽，花篮放置于所述第二内清洗槽内，所述第二外清洗槽的上方设有纯水进水管，所述第二内清洗槽和所述第二外清洗槽连通，所述第二外清洗槽与所述高低浓度废液排放结构连通；

所述机械手清洗室包括能够容纳机械手的清洗箱、纯水喷淋管和氮气喷淋管，所述纯水喷淋管和所述氮气喷淋管皆安装于所述清洗箱的上方；

所述湿式机械手/所述干式机械手皆包括第一取料杆、第二取料杆以及驱动所述第一取料杆和所述第二取料杆同时相对/相反方向转动的转动结构，所述第一取料杆上安装有至少一个第一取料臂，所述第二取料杆上安装有至少一个第二取料臂；

所述转动结构包括第二电机、第一转动块、第二转动块和第一连杆，所述第一转动块与所述第一取料杆连接，所述第二转动块与所述第二取料杆连接，所述第一连杆的一端与所述第一转动块连接，所述第一连杆的另一端与所述第二转动块连接；

所述第二电机的输出轴上安装有第一齿轮，所述第一取料杆上安装有第二齿轮，所述第一齿轮与所述第二齿轮套设有同步齿轮皮带；

所述翻盖结构包括位于所述第一清洗槽上方的盖板以及驱动所述盖板开合的驱动结构；