[实用新型]一种高功率推入式射频同轴连接器

权利要求书

1.一种高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，包括插座（1）和插头（2），其中：

所述插座（1）由插座壳体（101）、插座绝缘子（102）和插座内导体（103）组成，所述插座壳体（101）的末端设置有劈槽结构（1011），劈槽结构（1011）的端面处设置有外圆鼓包（1012），所述插座绝缘子（102）同轴安装在插座壳体（101）中，所述插座内导体（103）通过倒刺结构（1032）同轴安装在插座绝缘子（102）中，所述插座内导体（103）的末端设置有插孔（1031），所述插孔（1031）为开槽收口结构；

所述插头（2）由插头壳体（201）、插头绝缘子（202）和插头内导体（203）组成，所述插头壳体（201）的末端开设有用于配合劈槽结构（1011）插合的台阶插口（2011），所述台阶插口（2011）内部开设有用于配合外圆鼓包（1012）限位的环形槽（2012），所述插头绝缘子（202）同轴安装在插头壳体（201）中，所述插头内导体（203）同轴安装在插头绝缘子（202）中，插头内导体（203）末端插针用于插合所述插孔（1031）。

2.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于， 所述台阶插口（2011）的外孔直径（a）范围为4.76-4.84mm，所述环形槽（2012）的直径（b）范围为4.34-4.42mm，所述台阶插口（2011）的内孔直径（c）范围为4.21-4.29mm。

3.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头内导体（203）的插针直径（d）范围为0.55-0.62mm。

4.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述环形槽（2012）的倒角（e）范围26-34度。

5.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的外孔深度（f）范围为0.83- 0.95mm，所述环形槽（2012）的深度（g）范围为0.52-0.60mm。

6.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的倒角（h）范围为26-34度。

7.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的总深度（i）范围为3.16-3.24mm。

8.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头内导体（203）的插针长度（j）范围为1.70-1.80mm。

9.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头（2）的倒角深度（k）为0.15-0.17mm，插头（2）的端面倒角（l）为26-34度。

10.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述劈槽结构（1011）的长度（m）为2.7-2.8mm，劈槽结构（1011）的直径（n）为4.48-4.56mm，所述插座绝缘子（102）的端面距离（o）为0.00-0.10mm，所述插座内导体（103）的端面距离（p）为0.00-0.20mm，所述外圆鼓包（1012）的宽度（q）为0.44-0.66mm。