[实用新型]一种晶片研磨装置有效
| 申请号: | 202023099007.3 | 申请日: | 2020-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN213970604U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
| 发明(设计)人: | 刘胜男 | 申请(专利权)人: | 深圳科鑫泰电子有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/26;B24B37/34;B24B37/30;B24B57/02 |
| 代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 黄良宝 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 研磨 装置 | ||
一种晶片研磨装置,涉晶片制造技术领域,提供一种使用简单方便、工作效率高的晶片研磨装置,采用的技术手段包括:载台、研磨垫和研磨头;研磨垫由第一电机驱动旋转,其上设有凹槽和导流槽,研磨头共计三个,呈散射状连接在连接座上,且连接座滑动连接在载台上并由第一气缸驱动,以推动研磨头将晶片抵压在研磨垫的导流槽上。连接座上还设有可插入凹槽内的研磨液喷嘴,研磨垫转动过程中由该喷嘴向凹槽内喷射研磨液并经导流槽导引到晶片与研磨垫摩擦处。本实用新型的有益效果在于:研磨垫上设置的凹槽和与其连通的导流槽可均布分散研磨液,利于晶片研磨,且连接座上通过三个支臂固定有三个垂直抵压在研磨垫上的研磨头,使得晶片的研磨更加简单高效。
技术领域
本实用新型涉及晶片制造技术领域,更具体的涉及一种晶片研磨装置。
背景技术
晶片制造过程中需将切割后的晶片表面进行仔细研磨以使其表面平整光滑,现有晶片研磨装置通常采用研磨头夹持晶片并使其紧抵在研磨垫上,然后通过旋转研磨垫或晶片以达到晶片表面研磨的目的。研磨过程中需使用大量的研磨液来冲洗晶片与研磨垫,为了提高研磨液的分散效率及均匀程度,目前出现一种研磨垫外表面均布导流槽的研磨装置,如中国实用新型专利:201920375107.2的一种新型研磨垫及研磨装置,该专利公布了一种可提高研磨液分散均匀程度的具有导流槽的研磨垫,其具有导流槽的研磨垫表面为中间高、四周低的锥台结构,且该研磨垫上只接触有一个研磨头。此类锥台结构的研磨垫在打磨晶片表面过程中必须精确调整研磨头与研磨垫之间的角度,才能够避免晶片表面打磨不平,防止打磨后晶片的上下表面不相平行。而且,此专利中公开的晶片研磨装置一次只能打磨一个晶片,效率低。
因此,需要对现有晶片研磨装置进行改进,以使晶片的研磨更加简单、方便,提高打磨效率。
实用新型内容
综上所述,本实用新型的目的在于提供一种使用简单、方便,研磨效率高的晶片研磨装置。
为实现上述目的,本实用新型采用了下述技术方案:
一种晶片研磨装置,所述装置包括有载台,其上转动设有用于研磨晶片的研磨垫、用于夹持晶片以将其抵压在所述研磨垫上进行打磨的研磨头。所述载台左侧竖直横向设有第一固定板,所述第一固定板的中部开设有第一通孔,第一固定板的左侧面上通过轴套组件水平纵向固设有一用于驱动所述研磨垫转动的第一电机,所述第一电机的转动轴穿过所述第一通孔固定连接在研磨垫底面的圆心位置上。第一固定板的右侧面上垂直向右侧延伸有一圈与第一通孔同轴线的、匹配围绕在研磨垫外侧的外延环,所述外延环向第一固定板右侧延伸的长度大于研磨垫外表面与第一固定板右侧面间的间距。所述的研磨垫呈扁圆柱状结构,其背向第一固定板的外表面上设有凹槽和导流槽,所述凹槽处于研磨垫外表面的圆心处,所述的导流槽以凹槽为中心成散射状向研磨垫外缘处均匀分布,导流槽的首端与凹槽相连通,导流槽的末端处于研磨垫的侧壁上。所述载台右侧水平纵向固设有第一气缸,所述第一气缸的活塞杆上固设有一滑动连接在载台上的、对应处于研磨垫右侧的连接座,所述连接座的圆心位置处设有一可水平伸至凹槽内的研磨液喷嘴,连接座外周上还均布有三个呈放射状向研磨垫外表面处伸出的支臂,所述每个支臂端部皆设有一可垂直抵压在导流槽上的研磨头。
所述载台上水平纵向设有一对应处于所述第一气缸左侧的滑轨,所述滑轨与所述第一固定板上的第一通孔处于同一竖直纵向平面内,其上滑动连接有一滑块,所述滑块通过连接杆与所述的连接座固定连接。
所述外延环的端部垂直设有一圈平行于所述第一固定板右侧面的折边,所述折边上螺纹固定连接有一用于防止研磨液从外延环端部开口处向外飞溅的端环,所述端环的内孔直径小于外延环直径且大于所述支臂端部外接圆的直径。
所述外延环的底部开设有用于收集研磨液的漏出孔,所述漏出孔上连接有伸出所述载台外的排污管。
所述研磨液喷嘴的端部设有伸入所述凹槽内的喇叭状喷射口,所述喇叭状喷射口的外周直径与凹槽的直径相匹配。
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