[实用新型]芯片和电子设备有效

专利信息
申请号: 202023088901.0 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN214409043U 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 豆全亮;钟成;余建伟 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G01P15/02 分类号: G01P15/02;G01P21/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 张政
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 电子设备
【说明书】:

本申请实施例公开了一种芯片和电子设备,该芯片包括:主功能模块、温度检测模块、温度调节模块和温度控制电路,该温度检测模块靠近该主功能模块设置,该温度检测模块用于测量主功能模块的温度,该温度控制电路与该温度检测模块电连接,该温度调节模块与该温度控制电路电连接,该温度控制电路用于根据该温度检测模块测得的温度向该温度调节模块施加电压,该温度调节模块用于根据该温度调节模块施加的电压调节该芯片的温度。由此,通过设置温度检测模块、温度调节模块和温度控制电路,可以调整该主功能模块的温度,实现主功能模块在系统温度发生变化时,主功能模块的温度基本恒定,降低了主功能模块的温度漂移参数。

技术领域

本申请实施例涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种芯片和电子设备。

背景技术

加速度传感器(acceleration transducer)是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。传感器在加速过程中,通过对质量块所受惯性力的测量,利用牛顿第二定律获得加速度值。根据传感器敏感元件的不同,常见的加速度传感器包括电容式、电感式、应变式、压阻式、压电式等。

目前,在工业和信息与通信技术(information and communicationstechnology,ICT)领域,对加速度传感器的温度漂移(Temperature dirft)参数要求较高,一般要求温度漂移参数在全温范围内优于0.1mg/℃,其中,0.1mg/℃是指温度每变化一摄氏度,半导体器件参数变化0.1mg,然而现有的加速度传感器芯片只能达到0.25mg/℃。

实用新型内容

本申请实施例提供一种芯片和电子设备,解决了加速度传感器受温度影响较大的问题。

为达到上述目的,本申请实施例采用如下技术方案:

本申请实施例的第一方面,提供一种芯片,包括:主功能模块、温度检测模块、温度调节模块和温度控制电路,该温度检测模块用于测量主功能模块的温度,该温度控制电路与该温度检测模块电连接,该温度调节模块与该温度控制电路电连接,该温度控制电路用于根据该温度检测模块测得的温度向该温度调节模块施加电压,所述温度控制电路用于根据所述主功能模块的温度,控制所述温度调节模块对所述主功能模块加热或降温。由此,通过设置温度检测模块、温度调节模块和温度控制电路,可以调整该主功能模块的温度,实现主功能模块在系统温度发生变化时,主功能模块的温度基本恒定,降低了主功能模块的温度漂移参数。

一种可选的实现方式中,所述芯片包括至少三层基底,其中,该温度调节模块设置在第一基底上,该温度检测模块设置在第二基底上,温度控制电路设置在第三基底上,该第一基底、该第二基底和该第三基底键合。由此,结构更简单。

一种可选的实现方式中,所述芯片包括至少二层基底,其中,该温度调节模块和该温度控制电路设置在第一基底上,该温度调节模块设置在第二基底上,该第一基底和该第二基底键合。由此,该温度调节模块和该温度控制电路设置在同一基底上,更节省空间。

一种可选的实现方式中,该温度调节模块和该温度控制电路之间设有绝缘层。由此,避免该温度调节模块和该温度控制电路相互干扰。

一种可选的实现方式中,该芯片还包括:主控制电路,该主功能模块和该温度检测模块设置在同一基底上,该主控制电路和该温度控制电路设置在同一基底上。由此,该主功能模块和该温度检测模块设置在同一基底上,该主控制电路和该温度控制电路设置在同一基底上,更节省芯片内部空间。

一种可选的实现方式中,该主功能模块包括:微机电系统MEMS加速度传感器。

一种可选的实现方式中,该温度调节模块为半导体制冷器。

一种可选的实现方式中,该温度检测模块为:温度传感器。

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