[实用新型]一种防止硅片放偏的自动探测控制系统有效
申请号: | 202023072836.2 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN214311426U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 李慎重;童科峰;田达晰;蒋玉龙;王震;袁东宁 | 申请(专利权)人: | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/414 | 分类号: | G05B19/414;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 王亮;宋缨 |
地址: | 315800 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 硅片 自动 探测 控制系统 | ||
本实用新型公开了一种防止硅片放偏的自动探测控制系统,包括外延机台,外延机台上设置有旋转基座,旋转基座上绕着中心呈环形阵列布置有若干个用于放置硅片的基座槽,旋转基座的上方靠近基座槽中心的位置设置有第二测距传感器,第二测距传感器的一侧靠近基座槽边缘的位置设置有第一测距传感器,第二测距传感器和第一测距传感器均与PLC控制器电性相连,PLC控制器与控制外延机台的EAP控制执行操作系统相连。本实用新型增加硅片装入槽内的自动探测和识别系统,使用PLC采集和输出数据,利用EAP自动控制平台,实现硅片位置偏离检测技术监控和实时反馈,有效防止异常外延片的产生,确保外延片质量稳定可靠。
技术领域
本实用新型涉及硅片生产领域,具体为一种防止硅片放偏的自动探测控制系统。
背景技术
在硅片外延生长过程中,需要确保硅片传入腔体中基座片槽内,进行外延生长以获得具有良好外延层厚度和电阻率一致性的外延片,目前存在设备装载硅片时硅片位置偏离时无法检测到,导致加工产品报废的情况,且后续产品的生产加工无法顺利进行。现有设备无法有效检测到硅片位置偏离情况,放偏硅片继续生长外延时,会导致关键特性参数厚度和电阻率一致性恶化严重,外延片产品报废损失,严重影响产品生产加工效率。
实用新型内容
本实用新型提供了一种防止硅片放偏的自动探测控制系统,结构简单,增加硅片装入槽内的自动探测和识别系统,解决了硅片位置偏离无法检测的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种防止硅片放偏的自动探测控制系统,包括外延机台,所述的外延机台上设置有旋转基座,所述的旋转基座上绕着中心呈环形阵列布置有若干个用于放置硅片的基座槽,所述的旋转基座的上方靠近基座槽中心的位置设置有第二测距传感器,所述的第二测距传感器的一侧靠近基座槽边缘的位置设置有第一测距传感器,所述的第二测距传感器和第一测距传感器均与PLC控制器电性相连,所述的PLC控制器与控制外延机台的EAP控制执行操作系统相连。
本专利中的第二测距传感器和第一测距传感器均为高精度测距装置,可以利用PLC控制器采集和输出数据,利用EAP控制执行操作系统,实现硅片位置偏离检测技术监控和实时反馈。
第二测距传感器和第一测距传感器对应的是不同的检测点,都用于测量传感器到基座槽底部的距离以及测量传感器到硅片表面的距离这两个参数,分别记录为Z1max、Z1min和Z2max、Z2min。第二测距传感器和第一测距传感器是不会移动的,随着旋转基座的转动,第二测距传感器和第一测距传感器会不断地对通过其下方的基座槽进行检测。
通过计算Z1max-Z1min以及Z2max-Z2min的差值与硅片的厚度相比较来判断硅片是否发生偏移,当Z1max-Z1min或Z2max-Z2min大于特定硅片厚度时,PLC控制器反馈异常信息给EAP控制执行操作系统,EAP控制执行操作系统执行停止运行配方命令。防止继续外延生长导致外延片厚度和电阻率一致性异常,避免报废产品损失。
当Z1max-Z1min或Z2max-Z2min低于特定硅片厚度时,检测正常运行生长配方继续运行。
作为优选,所述的基座槽的直径大于硅片的直径。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本发明增加硅片装入槽内的自动探测和识别系统,设计使用高精度测距装置,使用PLC采集和输出数据,利用EAP自动控制平台,实现硅片位置偏离检测技术监控和实时反馈,有效防止异常外延片的产生,确保外延片质量稳定可靠。同时,减少异常造成的经济损失和产能效率浪费,实现生产效益最大化。
附图说明
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