[实用新型]一种小型化瓦片式T/R组件垂直互联结构

说明书

本实用新型公开了一种小型化瓦片式T/R组件垂直互联结构，横向LTCC转接板的下端面一侧与竖向LTCC转接板上端面相连，另一侧与数字电路基板上端面贴合，数字电路基板与横向LTCC转接板通过贴合面上设置的第二焊盘键合相连通；竖向LTCC转接板内设有第一竖向导通结构，第一竖向导通结构下端与LTCC射频电路基板上的电路相连通，上端通过横向LTCC转接板下端面的电路与横向LTCC转接板下端面第二焊盘相连通。与现有技术相比，本实用新型采用在横向LTCC转接板上设置焊盘及电路的方式实现了竖向LTCC转接板与数字电路基板的连通，与采用金带键合相比，对键合精度要求更低，不会发生连接不同组的焊盘的金带相接触的情况，提高了键合后的产品的良品率。

技术领域

本实用新型涉及相控阵雷达T/R组件，具体涉及一种小型化瓦片式T/R组件垂直互联结构。

背景技术

瓦片式T/R组件采用高密度集成、高可靠微波垂直互联等技术，有着更小的尺寸，更优良的散热性能，在降低T/R组件成本，减小体积尺寸、减轻设备重量和改善T/R组件可靠性等方面具有较大优势，易于实现相控阵的大规模阵列集成。

低频垂直互联结构是指包含直流电源与数字信号的互联结构。因相控阵雷达的T/R组件通道数量大、使用器件多，所以低频垂直互联结构的直流电源部分一般承载电流较大，而数字信号部分存在控制线多的特点。所以，制作性能优良的低频垂直互联结构是实现瓦片式T/R组件的关键之一，处理不当容易造成T/R组件中有源器件工作状态异常、直流馈电线局部温度过高等问题。这些问题会影响整个T/R组件的性能指标，如：输出功率一致性、通道间相位一致性、通道间幅度一致性等，进而影响了相控阵天线波束指向精度，对装备性能造成巨大的影响。

现有实用新型专利“一种小型化高可靠低频垂直互联结构”，专利号“CN2019111492657”，该专利技术方案包括数字电路基板、LTCC射频电路基板、LTCC转接板及键合金带，其中，数字电路基板与LTCC射频电路基板平行正对设置，LTCC转接板安装在LTCC射频电路基板朝向数字电路基板的端面上，LTCC转接板与LTCC射频电路基板通过贴合面上设置的焊盘键合相连，数字电路基板及LTCC转接板背向LTCC射频电路基板的端面上设置有相对应的焊盘，所述相对应的焊盘通过键合金带相连，LTCC转接板两端面的焊盘通过LTCC转接板内部的第一竖向导通结构相连通。这种结构采用LTCC（低温共烧陶瓷）工艺设计LTCC转接板及LTCC射频电路基板，能够有效的减小转接板尺寸，实现垂直转接的小型化设计，相比PCB工艺的转接板，能够节省电路空间，缓解电路板走线压力。并且，LTCC转接板及LTCC射频电路基板配合使用，LTCC射频电路基板与裸芯片热匹配度好，高低温可靠性高，满足T/R组件的使用要求。然而，由于焊盘通过键合金带相连，对键合精度要求极高，若金带位置出现偏差，易发生连接不同组的焊盘的金带相接触的情况，导致装置不能正常运行。

因此，如何降低T/R组件垂直互联结构的键合精度要求，提高键合后的产品的良品率，成为了本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述不足，本实用新型需要解决的问题是：如何降低T/R组件垂直互联结构的键合精度要求，提高键合后的产品的良品率。

为解决现有技术中的问题，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种小型化瓦片式T/R组件垂直互联结构，包括数字电路基板、LTCC射频电路基板、竖向LTCC转接板及横向LTCC转接板，其中，数字电路基板与LTCC射频电路基板平行正对设置，横向LTCC转接板的下端面一侧与竖向LTCC转接板上端面相连，另一侧与数字电路基板上端面贴合，数字电路基板与横向LTCC转接板通过贴合面上设置的第二焊盘键合相连通；竖向LTCC转接板内设有第一竖向导通结构，所述第一竖向导通结构下端与LTCC射频电路基板上的电路相连通，上端通过横向LTCC转接板下端面的电路与横向LTCC转接板下端面第二焊盘相连通，竖向LTCC转接板下端与LTCC射频电路基板上端边缘处相连。