[实用新型]晶圆存储装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆存储装置。本所述晶圆存储装置包括：单元空间，用于存储一传送盒，所述传送盒用于承载多片晶圆；吹扫结构，用于对所述单元空间进行气体吹扫，以控制所述单元空间内部的湿度。本实用新型减少甚至是避免了晶圆在存储过程中的损伤问题，提高了晶圆在存储过程中的安全性，确保了晶圆产品的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆存储装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

在3D NAND存储器等晶圆产品在存放过程中，常常会由于暴露于空气中而引起金属焊盘的损伤，最终导致集成电路后段制程的封装键合失效或者造成键合可靠性低等问题。

因此，如何避免晶圆在存储过程中遭受损伤，提高晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆存储装置，用于解决现有技术中的晶圆产品在存储过程中易遭受损伤的问题，以提高晶圆产品的质量。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆存储装置，包括：

单元空间，用于存储一传送盒，所述传送盒用于承载多片晶圆；

吹扫结构，用于对所述单元空间进行气体吹扫，以控制所述单元空间内部的湿度。

可选的，所述单元空间的数量为多个；

多个所述单元空间呈三维阵列排布。

可选的，所述吹扫结构的数量为多个，且多个所述吹扫结构与多个所述单元空间一一对应。

可选的，所述吹扫结构包括：

进气管道，自外界延伸至所述单元空间内部，用于向所述单元空间传输吹扫气体；

出气管道，自所述单元空间内部向外界延伸，用于将所述单元空间内的废气排出。

可选的，所述吹扫结构还包括：

单向进气阀，设置于所述进气管道上，用于控制所述进气管道是否导通；

单向出气阀，设置于所述出气管道上，用于控制所述出气管道是否导通。

可选的，所述吹扫结构还包括：

控制器，连接所述单向进气阀和所述单向出气阀，用于控制所述单向进气阀和所述单向出气阀周期性开启。

可选的，所述吹扫结构还包括：

传感器，设置于所述单元空间内部，用于检测所述单元空间内部的湿度。

可选的，所述控制器连接所述传感器，用于根据所述传感器检测到的所述的单元空间内部的湿度调整所述吹扫气体传输至所述单元空间的流速。

可选的，还包括：

缓冲腔室，位于所述单元空间外部，用于接收来自于外界的所述传送盒，并调整所述传送盒内的真空度。

可选的，所述传送盒为前开式晶圆传送盒或前开式出货盒。