[实用新型]半导体结构加工装置

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构加工装置，包括：去气腔，包括：第一腔体，位于第一腔体内的第一承载位及加热元件；加热元件用于加热半导体结构；沉积腔，包括：第二腔体，及位于第二腔体内的第二承载位；沉积腔，用于向半导体结构沉积目标材料；传输腔，包括：第三腔体，设置在第三腔体上的第一开口和第二开口，位于第三腔体内的传送结构，可活动地关闭或打开第一开口的第一盖体，和可活动地关闭或打开第二开口的第二盖体；第一开口打开时，第一腔体与第三腔体通过第一开口连通；第一开口关闭时，第一盖体隔开第一腔体与第三腔体；第二开口打开时，第二腔体与第三腔体通过第二开口连通；第二开口关闭时，第二盖体隔开第二腔体与第三腔体。

技术领域

本公开实施例涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种半导体结构加工装置。

背景技术

在集成电路制造技术领域，通常会采用气相沉积的方式，将金属材料填充在预先形成的空隙或者凹槽中，以形成导电的连线结构。在晶圆表面沉积金属材料以形成导电的膜层结构过程中，通常会产生较大的应力，该应力会导致晶圆发生翘曲变形，降低后续工艺的质量，进而降低制备的存储器良率。因此，如何降低减小金属材料沉积过程中的应力，以减小晶圆翘曲变形程度，成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构加工装置，包括：

去气腔，包括：第一腔体，位于所述第一腔体内的加热元件；其中，所述加热元件用于加热位于所述第一腔体内的半导体结构；

沉积腔，包括：第二腔体，以及位于所述第二腔体内的承载位；其中，所述沉积腔，用于向位于所述承载位上的所述半导体结构沉积目标材料；

传输腔，包括：第三腔体，设置在所述第三腔体上的第一开口和第二开口，位于所述第三腔体内的传送结构，以及可活动的第一盖体和可活动的第二盖体；

其中，所述第一盖体可活动地关闭或打开所述第一开口，当所述第一开口打开时，所述第一腔体与所述第三腔体通过所述第一开口连通；当所述第一开口关闭时，所述第一盖体隔开所述第一腔体与所述第三腔体；

所述第二盖体可活动地关闭或打开所述第二开口，当所述第二开口打开时，所述第二腔体与所述第三腔体通过所述第二开口连通；当所述第二开口关闭时，所述第二盖体隔开所述第二腔体与所述第三腔体。

在一些实施例中，所述加热元件，包括：

加热盘和可伸缩的设置在所述加热盘中的支撑柱；其中，当所述支撑柱处于拉伸状态时，所述支撑柱顶部从所述加热盘的表面向外凸起；当所述支撑柱处于收缩状态时，所述支撑柱顶部与所述加热盘的表面平齐。

在一些实施例中，所述加热元件，包括：

托盘，用于承载所述半导体结构；

加热单元；其中，

所述加热单元位于所述托盘下表面；其中，所述托盘下表面与所述托盘上表面为相反的表面，所述托盘上表面用于承载所述半导体结构；

或者

所述加热单元位于所述第一腔体的侧壁上。

在一些实施例中，所述装置还包括：

机械驱动装置，与所述托盘固定连接，用于驱动所述托盘旋转。

在一些实施例中，所述装置还包括：

控制元件，分别与所述去气腔、所述沉积腔以及所述传输腔电连接，用于在所述半导体结构置于所述沉积腔内的时间等于预设时间时，生成控制指令；

所述传送结构，用于根据所述控制指令，将位于所述沉积腔中的所述半导体结构传送至所述去气腔内。

在一些实施例中，所述加热元件的加热温度范围包括：300摄氏度至500摄氏度。