[实用新型]半导体结构加工装置

权利要求书

1.一种半导体结构加工装置，其特征在于，包括：

去气腔，包括：第一腔体，位于所述第一腔体内的加热元件；其中，所述加热元件用于加热位于所述第一腔体内的半导体结构；

沉积腔，包括：第二腔体，以及位于所述第二腔体内的承载位；其中，所述沉积腔，用于向位于所述承载位上的所述半导体结构沉积目标材料；

传输腔，包括：第三腔体，设置在所述第三腔体上的第一开口和第二开口，位于所述第三腔体内的传送结构，以及可活动的第一盖体和可活动的第二盖体；

其中，所述第一盖体可活动地关闭或打开所述第一开口，当所述第一开口打开时，所述第一腔体与所述第三腔体通过所述第一开口连通；当所述第一开口关闭时，所述第一盖体隔开所述第一腔体与所述第三腔体；

所述第二盖体可活动地关闭或打开所述第二开口，当所述第二开口打开时，所述第二腔体与所述第三腔体通过所述第二开口连通；当所述第二开口关闭时，所述第二盖体隔开所述第二腔体与所述第三腔体。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热元件，包括：

加热盘和可伸缩的设置在所述加热盘中的支撑柱；其中，当所述支撑柱处于拉伸状态时，所述支撑柱顶部从所述加热盘的表面向外凸起；当所述支撑柱处于收缩状态时，所述支撑柱顶部与所述加热盘的表面平齐。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述加热元件，包括：

托盘，用于承载所述半导体结构；

加热单元；其中，

所述加热单元位于所述托盘下表面；其中，所述托盘下表面与所述托盘上表面为相反的表面，所述托盘上表面用于承载所述半导体结构；

或者

所述加热单元位于所述第一腔体的侧壁上。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

机械驱动装置，与所述托盘固定连接，用于驱动所述托盘旋转。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

控制元件，分别与所述去气腔、所述沉积腔以及所述传输腔电连接，用于在所述半导体结构置于所述沉积腔内的时间等于预设时间时，生成控制指令；

所述传送结构，用于根据所述控制指令，将位于所述沉积腔中的所述半导体结构传送至所述去气腔内。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述加热元件的加热温度范围包括：300摄氏度至500摄氏度。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述加热元件包括：

托盘，用于承载所述半导体结构；

多个加热单元；其中，

所述多个加热单元，均匀分布在所述托盘下表面；

或者，

所述多个加热单元，围绕所述托盘、且均匀分布在所述第一腔体的侧壁上。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积腔包括氮化钛生成腔，所述沉积腔中的反应气体包括氨气和氯化氢气体。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述去气腔还包括：

测温元件，位于所述第一腔体内，用于测量所述半导体结构的温度，以获得测量温度；

控温元件，分别与所述测温元件及所述加热元件电连接，用于获取所述测量温度，并根据所述测量温度控制所述加热元件，以将所述半导体结构的温度保持在预设温度范围内。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

气流驱动装置，用于供所述去气腔向外排出气体；

出气管，一端与所述第一腔体上的出气孔连通，另一端与所述气流驱动装置连通以用于供所述去气腔向外排出气体。