[实用新型]具有虚拟填充的精密电阻器结构

说明书

本申请涉及集成电路领域，公开了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底中的第一虚拟填充层；设置在半导体衬底表面上的第一介电层，第一介电层中设置有第二虚拟填充层；设置在第一介电层表面上的第二介电层，第二层介电层中设置有电阻体，电阻体两端设置有互连结构；设置在第二介电层表面上的第三介电层，第三介电层中设置有金属互连层，金属互连层分别与两端的互连结构连接。第一虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，第二虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，第一虚拟填充层和第二虚拟填充层相互平行且交替设置。本申请可以提高电阻器的散热和可靠性。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，尤其涉及一种具有虚拟填充的精密电阻器结构。

背景技术

随着现代电子设备性能要求越来越高，对芯片上元器件的性能要求也越来越苛刻。在现代大规模集成电路芯片、传感器芯片中，精密电阻是一种不可或缺的器件，精密电阻主要包括薄膜电阻、多晶硅电阻等。薄膜电阻可以包括芯片片上的分压电阻、热敏电阻、光敏电阻等，薄膜电阻的精度也直接影响先进芯片的精度和性能。现有的薄膜电阻的散热会影响其参数的稳定性。

实用新型内容

本说明书实施方式的目的在于提供一种具有虚拟填充层的精密电阻器结构，可以提高电阻器的散热和可靠性。

本申请一实施例中提供了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包含：

半导体衬底，设置在所述半导体衬底中的第一虚拟填充层；

设置在所述半导体衬底表面上的第一介电层，所述第一介电层中设置有第二虚拟填充层；

设置在所述第一介电层表面上的第二介电层，所述第二层介电层中设置有电阻体，所述电阻体两端设置有互连结构；

设置在所述第二介电层表面上的第三介电层，所述第三介电层中设置有金属互连层，所述金属互连层分别与两端的所述互连结构连接；

其中，所述第一虚拟填充层沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，所述第二虚拟填充层沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，所述第一虚拟填充层和所述第二虚拟填充层相互平行且交替设置。

在一优选例中，所述第二介电层中设置有另一金属互连层，该另一金属互连层设置在所述电阻体的下方并沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，该另一金属互连层与所述第一虚拟填充层重叠设置。

本申请一实施例中提供了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包含：

半导体衬底，设置在所述半导体衬底中的第一虚拟填充层；

设置在所述半导体衬底表面上的第一介电层，所述第一介电层中设置有第二虚拟填充层；

设置在所述第一介电层表面上的第二介电层，所述第二层介电层中设置有电阻体，所述电阻体两端设置有互连结构；

设置在所述第二介电层表面上的第三介电层，所述第三介电层中设置有金属互连层，所述金属互连层分别与两端的所述互连结构连接；

其中，所述第一虚拟填充层沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，所述第二虚拟填充层沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，所述第一虚拟填充层和所述第二虚拟填充层相互平行且交替设置。

在一优选例中，所述第二介电层中设置有另一金属互连层，该另一金属互连层设置在所述电阻体的下方并沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，该另一金属层与所述第一虚拟填充层重叠设置。

在一优选例中，所述互连结构包括：位于所述电阻体两端的电阻头；位于所述电阻头上的通孔。

在一优选例中，所述金属互连层仅覆盖所述互连结构所在的区域。