[实用新型]具有虚拟填充的精密电阻器结构有效
| 申请号： | 202022959552.9 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN213905048U | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郭朝亮;张泽飞 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/084 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 虚拟 填充 精密 电阻器 结构 | ||
1.一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，其特征在于，包含：
半导体衬底，设置在所述半导体衬底中的第一虚拟填充层；
设置在所述半导体衬底表面上的第一介电层，所述第一介电层中设置有第二虚拟填充层；
设置在所述第一介电层表面上的第二介电层，所述第二介电层中设置有电阻体，所述电阻体两端设置有互连结构；
设置在所述第二介电层表面上的第三介电层，所述第三介电层中设置有金属互连层，所述金属互连层分别与两端的所述互连结构连接；
其中，所述第一虚拟填充层沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，所述第二虚拟填充层沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，所述第一虚拟填充层和所述第二虚拟填充层相互平行且交替设置。
2.根据权利要求1所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述第二介电层中设置有另一金属互连层，该另一金属互连层设置在所述电阻体的下方并沿垂直于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，该另一金属互连层与所述第一虚拟填充层重叠设置。
3.一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，其特征在于，包含：
半导体衬底，设置在所述半导体衬底中的第一虚拟填充层；
设置在所述半导体衬底表面上的第一介电层，所述第一介电层中设置有第二虚拟填充层；
设置在所述第一介电层表面上的第二介电层，所述第二介电层中设置有电阻体，所述电阻体两端设置有互连结构；
设置在所述第二介电层表面上的第三介电层，所述第三介电层中设置有金属互连层，所述金属互连层分别与两端的所述互连结构连接；
其中，所述第一虚拟填充层沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，所述第二虚拟填充层沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，所述第一虚拟填充层和所述第二虚拟填充层相互平行且交替设置。
4.根据权利要求3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述第二介电层中设置有另一金属互连层，该另一金属互连层设置在所述电阻体的下方并沿平行于所述电阻体延伸的方向呈间隔排布，该另一金属层与所述第一虚拟填充层重叠设置。
5.根据权利要求1或3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述互连结构包括：位于所述电阻体两端的电阻头；位于所述电阻头上的通孔。
6.根据权利要求1或3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述金属互连层仅覆盖所述互连结构所在的区域。
7.根据权利要求1或3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述金属互连层覆盖所述电阻体的区域，并且，两端的所述金属互连层不连接。
8.根据权利要求1或3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述第一虚拟填充层为铜铝合金层，所述第二虚拟填充层为多晶硅层。
9.根据权利要求1或3所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述第一虚拟填充层与所述第二虚拟填充层之间的间隔距离为0.5μm至10μm。
10.根据权利要求1至4中任意一项所述的精密电阻器结构，其特征在于，所述精密电阻器为薄膜电阻器。
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